赝三元系半导体致冷材料及器件的研制  

作　　者：赵秀平[1] 刘振茂[1] 张国威 李志伟 

机构地区：[1]哈尔滨师范大学物理系

出　　处：《半导体技术》1994年第2期46-48,F003,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：研制出高优值系数的Ｐ型和Ｎ型赝三元系Ｂｉ＿２Ｔｅ＿３－Ｓｂ＿２Ｔｅ＿３－Ｓｂ＿２Ｓｅ＿３半导体致冷材料，在室温附近最高优值系数达到３．３×１０￣（－３）／Ｋ，致冷器件制作结果表明，热电性能高于二元系半导体致冷材料。

关 键 词：赝三元系 半导体材料 半导体致冷器 

分 类 号：TB64[一般工业技术—制冷工程]