王培林

作品数：14被引量：10H指数：2
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发文领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
发文期刊：《哈尔滨工业大学学报》《功能材料》《材料研究学报》《材料科学与工艺》更多>>
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磁控溅射纳米PtSi薄膜表面和界面特征
《Journal of Semiconductors》2003年第B05期74-77,共4页殷景华 蔡伟 王明光 郑玉峰 李美成 王培林 赵连城 
采用磁控溅射方法在p—Si(111)衬底上淀积5nmPt膜，退火后形成PtSi薄膜，利用原子力显微镜和高分辨电子显微镜观察了PtSi薄膜的表面和界面特征。实验结果表明，工艺条件影响PtSi薄膜的微观组织结构和表面形貌，随着衬底温度增加，薄膜...
关键词：PtSi薄膜 表面形貌 界面结构 
退火温度对纳米PtSi/Si异质结形成的影响
《功能材料》2001年第5期504-505,共2页殷景华 蔡伟 王培林 郑玉峰 王中 李美成 赵连城 
采用XPS、XRD、AFM测试技术 ,研究退火温度对PtSi/Si异质结薄膜硅化物形成、分布及硅化物薄膜表面形貌的影响。测试结果表明 ,低温退火 ,薄膜中相分布顺序为Pt→Pt2 Si→PtSi→Si;高温退火 ,相分布顺序为Pt→Pt2 Si +PtSi→PtSi→Si或Pt...
关键词：退火温度 PtSi/Si异质结 硅化物 薄膜 表面形貌 红外探测器 
外加横向磁场下Bridgman法生长HgCdTe晶体的实验研究
《哈尔滨工业大学学报》1999年第3期8-10,共3页蓝慕杰 叶水驰 鲍海飞 于杰 周士仁 王培林 
介绍自行研制的可以施加横向磁场中的垂直Bridgman法晶体生长装置，该装置磁场强度可在0－0．6T围内连续调节，生长区温度梯度达40－70℃／cm．不同磁场强度下进行了HgCdTe晶体生长实验，通过测量分析，研究了轴向和径向组分分布的变化...
关键词：磁场 晶体生长 BRIDGMAN法 碲镉汞晶体 
纳米级PtSi/Si(111)膜成形工艺与连续性研究被引量：4
《Journal of Semiconductors》1998年第6期468-471,共4页王培林 盛文斌 杨晶琦 徐达鸣 
研究了在（１１１）Ｓｉ衬底上沉积５ｎｍＰｔ膜经不同工艺成形后其反应产物及膜的连续性．结果表明高温短时间退火（６００℃。
关键词：纳米级 硅化铂 硅 半导体薄膜技术 
椭圆柱Bridgman炉生长Hg_(1-x)Cd_xTe晶体时固/液界面形状的数值模拟
《Journal of Semiconductors》1998年第2期108-114,共7页王培林 白红 杨晶琦 
国家自然科学基金
用三维数值模拟方法研究了椭圆柱Ｂｒｉｄｇｍａｎ炉生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体时固／液界面附近的温度分布，考察了安瓿位置、安瓿与炉膛直径相对大小以及炉膛温度分布等对固／液界面的影响情况．结果表明，椭圆柱Ｂｒｉｄｇｍａｎ...
关键词：碲镉汞 红外探测器 数值模拟 
在磁场中的Bridgman－Hg_（1－x）Cd_xTe晶体生长数值模拟研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1996年第7期485-492,共8页王培林 张国艳 周士仁 
对垂直Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体生长系统，用数值模拟方法研究了与晶锭轴同方向的恒定磁场对熔体中温度场、流场、浓度场及ｓ－ｌ界面产生的影响，介绍了边界条件的处理方法．结果表明，随着磁场强度的增加，熔体中...
关键词：磁场 碲镉汞 晶体生长 数值模拟 Bridgman制取 
偏心Bridgman－Hg_（1－x）Cd_xTe晶体生长S－L界面形状的数值模拟被引量：2
《Journal of Semiconductors》1996年第1期16-20,共5页王培林 邓开举 张国艳 周士仁 
用三维数值模拟方法研究了偏心Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体生长系统Ｓ－Ｌ界面附近的温度分布．考察了偏心程度、安瓿与炉膛直径相对大小以及炉膛温度分布等对倾斜Ｓ－Ｌ界面的影响情况．结果表明，偏心温度场可提高晶...
关键词：晶体生长 BRIDGMAN法 HGCDTE S-L界面 
布里兹曼法碲镉汞（Hg_（1－x）Cd_xTe）晶体生长过程热场的数值分析被引量：4
《Journal of Semiconductors》1994年第9期596-602,共7页王培林 魏科 周士仁 
用控制容积法对布里兹曼法碲镉汞（Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ）晶体生长过程热场分布进行了计算．介绍了控制容积公式的推导和边界条件的处理，并对所得结果进行了分析．虽然碲镉汞晶体生长时热场受系统的影响情况错综复杂，但从本文的研究...
关键词：晶体生长 布里兹曼法 碲镉汞 
拉晶速度对HgCdTe—Bridgman系统热场分布影响的研究被引量：1
《哈尔滨工业大学学报》1994年第6期50-55,共6页王培林 刁凤斌 魏科 周士仁 
用数值计算方法研究了在Ｂｒｉｄｇｍａｎ系统中生长ＨｇＣｄＴｅ晶体时拉晶速度对热场分布的影响。计算结果表明，大的拉晶速度会造成固液界面向下位移，并使之凹陷现象加剧，不利于获得径向均匀性好的单晶材料。
关键词：热场分布 有限差分 晶体生长 布里奇曼法 
BRIDGMAN—Hg_（1－x）Cd_xTe晶体生长时场量数值分析的进展被引量：4
《材料研究学报》1994年第5期411-418,共8页王培林 魏科 张国艳 周士仁 
综述近十余年来关于Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｈｇ（１－ｘ）ＣｄｘＴｅ晶体生长过程中场量的数值分析工作，评价一般Ｂｒｉｄｇｍａｎ系统的数值分析，总结和归纳计算模型及边界条件处理方法，指出存在的问题及今后应开展的研究工作．
关键词：数值分析 汞镉锝合金 晶体生长 
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