检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:殷景华[1] 蔡伟[2] 王明光[3] 郑玉峰[2] 李美成[2] 王培林[2] 赵连城[2]
机构地区:[1]哈尔滨理工大学应用科学学院,哈尔滨150080 [2]哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,哈尔滨150001 [3]中国科学院沈阳金属研究所固体原子像实验室,沈阳110015
出 处:《Journal of Semiconductors》2003年第B05期74-77,共4页半导体学报(英文版)
摘 要:采用磁控溅射方法在p—Si(111)衬底上淀积5nmPt膜,退火后形成PtSi薄膜,利用原子力显微镜和高分辨电子显微镜观察了PtSi薄膜的表面和界面特征。实验结果表明,工艺条件影响PtSi薄膜的微观组织结构和表面形貌,随着衬底温度增加,薄膜表面由柱晶状团簇变为扁平状团簇,薄膜显微结构由多层变为单层,衬底加热有利于形成界面清晰、结构完整、成分单一的PtSi薄膜。
分 类 号:TN304.2[电子电信—物理电子学]
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