碲镉汞晶体

作品数：27被引量：23H指数：2
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离子束刻蚀碲镉汞晶体的电学特性研究被引量：1
《物理学报》2015年第11期311-314,共4页徐国庆 刘向阳 张可锋 杜云辰 李向阳 
本文利用迁移率谱分析了离子束刻蚀后的碲镉汞晶体,发现180μm的p型碲镉汞晶体在刻蚀后完全转为n型,且由两个不同电学特性的电子层组成:低迁移率的表面电子层和高迁移率的体电子层.通过分析不同温度下的迁移率谱,表明表面电子层的迁移...
关键词：离子束刻蚀 迁移率谱 表面电子层 体电子层 
用红外透射法确定任意厚度下碲镉汞晶体的组分
《红外技术》2005年第1期39-41,共3页杨彦 刘新进 
选用组分均匀的碲镉汞Hg1-xCdxTe晶片(x=0.170-0.300mole CdTe),在室温下用红外光谱仪 测量晶片在不同厚度的透射光谱,取透射比为5％对应的波数值,对实验数据进行拟合,得到了碲镉 汞晶体组分与透射比为5％对应的波数值和晶片厚度之间的...
关键词：晶片 碲镉汞材料 厚度 透射比 透射光谱 晶体 均匀性 红外透射 组分 红外光谱仪 
碲镉汞体材料的显微Raman光谱被引量：3
《红外技术》2002年第5期37-41,共5页黄晖 唐莹娟 许京军 张存洲 潘顺臣 张光寅 
利用Raman显微镜测量了ACRT Bridgman方法和Te溶剂方法生长的碲镉汞体材料的显微Raman光谱 ,在碲镉汞体材料的显微Raman光谱中识别出了碲镉汞的基本光学振动模 ,由此证明了碲镉汞按晶格振动的分类方法属于二模混晶 ;识别出了一个来源于...
关键词：碲镉汞晶体 显微Raman光谱 光学振动膜 RAMAN散射 
光探测器与光学系统
《电子科技文摘》2000年第12期28-29,共2页
SPIE-Vol.3553 00200241998年 SPIE 会议录,卷3553:探测器、焦平面阵列与成象器件=1998 proceedings of SPIE,Vol.3553:De-tectors,focal plane arrays and imaging devicesⅡ[会,英]/SPIE-the International Society for Optical Engin...
关键词：红外焦平面阵列 红外光探测器 光学系统 会议录 分子束外延生长 光电子技术 碲镉汞晶体 红外物理 成象 红外探测器 
固态再结晶法生长碲镉汞晶体的相变过程
《半导体光电》2000年第1期33-36,共4页王跃 李全保 韩庆林 宋炳文 介万奇 周尧和 
叙述了固态再结晶生长碲镉汞晶体的生长方法 ,讨论了固态再结晶法生长碲镉汞晶体的相变过程和消除树枝结晶的机理及实验结果。简述了再结晶过程中晶粒长大的相变驱动力。
关键词：晶体生长 固态再结晶 碲镉汞 相变过程 
改进布里奇曼法生长HgCdTe晶体的生长速度对固液界面形态的影响被引量：1
《人工晶体学报》2000年第1期45-50,共6页王跃 李全保 韩庆林 马庆华 宋炳文 介万奇 周尧和 
兵器集团公司研究基金
为选择合理的晶体生长速度 ,在用改进Bridgman法生长直径为19mm的HgCdTe(x =0 .2 1)晶体过程中 ,对正在生长的单晶体及熔体进行淬火 ,以观察其固液界面形态。初步的实验结果表明 :在 2mm/d及 9mm/d的两种生长速度条件下 ,石英安瓶中...
关键词：晶体生长速度 固液界面形态 碲镉汞晶体 
外加横向磁场下Bridgman法生长HgCdTe晶体的实验研究
《哈尔滨工业大学学报》1999年第3期8-10,共3页蓝慕杰 叶水驰 鲍海飞 于杰 周士仁 王培林 
介绍自行研制的可以施加横向磁场中的垂直Bridgman法晶体生长装置，该装置磁场强度可在0－0．6T围内连续调节，生长区温度梯度达40－70℃／cm．不同磁场强度下进行了HgCdTe晶体生长实验，通过测量分析，研究了轴向和径向组分分布的变化...
关键词：磁场 晶体生长 BRIDGMAN法 碲镉汞晶体 
双相复合生长大直径(Ф40)碲镉汞晶体被引量：1
《半导体杂志》1998年第3期15-19,共5页刘克岳 王金义 
介绍了一种新的碲镉汞晶体生长方法（即双相复合生长法），阐述了该方法的生长机理和生长过程；分析了生长过程中影响晶体生长的因素；总结了该方法晶体生长的特点，并提出了晶体生长过程中存在的问题和改善措施；通过采取低温生长、低...
关键词：碲镉汞 晶体生长 双相复合 垂直结晶 
布里奇曼法生长碲镉汞晶体的缺陷及其展望被引量：3
《红外技术》1998年第1期1-4,8,共5页王跃 
简单介绍了布里奇曼法生长碲镉汞晶体的主要缺陷以及缺陷的控制原理，回顾了国内进行碲镉汞晶体生长的布里奇曼法及加速坩埚旋转技术的布里奇曼法（ＡＣＲＴＢ）研究的情况，并提出了进一步研究的问题。
关键词：碲镉汞 布里奇曼法 晶体缺陷 红外光学材料 
布里奇曼法生长碲镉汞晶体的固液界面形态研究被引量：2
《红外与激光工程》1998年第1期44-47,共4页王跃 
文中综述了布里奇曼法及加速坩埚旋转技术的布里奇曼法生长碲镉汞晶体过程中固液界面形态的研究结果，简单讨论了固液界面形态对组分分布的影响，并将两种技术所得的组分分布结果进行了比较。在分析影响固液界面形态因素的基础上，认为...
关键词：碲镉汞 晶体 组分均匀性 晶体生长 固液界面 
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