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作 者:王跃[1,2] 李全保[1] 韩庆林[1] 马庆华[1] 宋炳文[1] 介万奇[3] 周尧和[3]
机构地区:[1]昆明物理研究所 [2]西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072 [3]西北工业大学凝固技术国家重点实验室
出 处:《人工晶体学报》2000年第1期45-50,共6页Journal of Synthetic Crystals
基 金:兵器集团公司研究基金
摘 要:为选择合理的晶体生长速度 ,在用改进Bridgman法生长直径为19mm的HgCdTe(x =0 .2 1)晶体过程中 ,对正在生长的单晶体及熔体进行淬火 ,以观察其固液界面形态。初步的实验结果表明 :在 2mm/d及 9mm/d的两种生长速度条件下 ,石英安瓶中的固液界面形态均为凹形抛物面 ,但其凹陷深度分别为 10mm和 14mm。较低的晶体生长速度条件下 ,凹陷深度较小 ,固液界面形态较平。由实验和讨论得知 ,宜选择较低的晶体生长速度用改进Bridgman法生长HgCdTe晶体。To choose suitable growth speed,the shape of solid liquid interface has been investigated by quenching HgCdTe crystal with diameter of 19mm and composition of x = 0.21 during Modified Bridgman growth.The shape of interface is concave paraboloid which getting more concave with higher growth speed.The deepness of interface is 10mm and with growth speeds of 2mm/d and 9mm/d respectively.To grow large size HgCdTe crystal with good crystallinity and composition uniformity by using Modified Bridgman technique,lower growth speed should be choosed.
分 类 号:TN213[电子电信—物理电子学] O782.9[理学—晶体学]
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