碲镉汞材料

作品数：48被引量：97H指数：6
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：何力叶振华胡晓宁李向阳杨建荣更多>>
相关机构：中国科学院中国电子科技集团第十一研究所昆明物理研究所华北光电技术研究所更多>>
相关期刊：《写真地理》《光学学报》《航空兵器》《红外与毫米波学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金中国科学院知识创新工程国防基础科研计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
退火对碲镉汞材料的影响
《激光与红外》2025年第1期81-84,共4页李浩冉 戴永喜 王娇 赵东生 马腾达 米南阳 
本文通过改变碲镉汞材料退火的汞量,研究了汞蒸气压对碲镉汞材料表面形貌、位错密度、晶体质量及电学特性的影响。研究发现,在3倍正常汞量条件下退火后,表面形貌平坦,粗糙度(Ra)达到了0.235 nm,晶体质量最低降至44.7 arcsec位错密度降低...
关键词：汞蒸气压 位错密度 霍尔测试 
液相外延碲镉汞薄膜缺陷综述被引量：1
《红外与激光工程》2023年第7期286-301,共16页起文斌 丛树仁 宋林伟 李沛 江先燕 俞见云 宁卓 邓文斌 孔金丞 
国家重点研发计划项目(SQ2020YFB200190)。
液相外延是碲镉汞(MCT)薄膜生长领域最成熟的一种方法,被众多红外探测器研究机构和生产商所采用。然而由于MCT材料自身属性和具体制备工艺的原因,液相外延生长过程中不可避免地会产生各种缺陷,从而降低红外探测器的性能。为了增加对液...
关键词：碲镉汞材料 液相外延 缺陷形成机理 缺陷消除方法 
大尺寸碲锌镉基碲镉汞材料分子束外延技术研究被引量：3
《激光与红外》2022年第3期388-391,共4页高达 李震 王丹 徐强强 刘铭 
针对高质量、大规模碲镉汞红外焦平面探测器需求的持续增加,本文开展了使用分子束外延方式在50 mm×50 mm(211)B碲锌镉衬底上外延碲镉汞材料技术的研究。通过对碲锌镉衬底改进湿化学腐蚀、碲锌镉衬底预处理、碲锌镉衬底缓冲层生长、碲...
关键词：碲锌镉 碲镉汞 分子束外延 
碲镉汞材料中Hg空位、Au、As掺杂的研究进展
《红外》2021年第2期15-20,28,共7页郝斐 曹鹏飞 杨海燕 吴卿 
陕西省教育厅重点实验室科研计划项目(17JS105)、西安石油大学研究生创新与实践能力培养计划项目(YCS19212066)。
碲镉汞材料是制造红外探测器的基础,高性能红外探测器对碲镉汞材料的要求越来越高。为了提升器件性能,必须提高碲镉汞材料的电学性能。而掺杂是一个很好的选择。碲镉汞材料掺杂可以分为n型和p型两种。对于n型掺杂来说,In是一种理想的掺...
关键词：碲镉汞 Hg空位掺杂 Au掺杂 As掺杂 
试分析MBE生长碲镉汞材料的研究进展
《写真地理》2020年第12期0227-0227,共1页张贺良 
MBE是分子束外延是一种新的晶体生长技术的简称，高性能大面阵中波及短波红外探测器在领域内也随着技术的发展而得到更多的应用。碲镉汞材料的质量及参数控制是当前研究的焦点所在。笔者将以本文对MBE生长碲镉汞材料的研究现状分析讨论...
关键词：分子束外延 MBE生长碲镉汞 应用 现状 
Si基双色碲镉汞材料阻挡层生长及表征
《激光与红外》2018年第8期1005-1008,共4页高达 王经纬 王丛 许秀娟 
报道了Si基中短波双色碲镉汞(MCT)的最新研究进展。阻挡层的生长与表征是获得材料参数精确控制、晶体质量良好的Si基中短波双色HgCdTe材料关键所在。经过阻挡层生长工艺优化,解决了双色HgCdTe材料缺陷直径较大的问题。缺陷直径控制在10...
关键词：HGCDTE 中短波双色 阻挡层 
长波碲镉汞材料表面的氢化处理研究
《红外技术》2018年第7期668-672,711,共6页林占文 韩福忠 耿松 李雄军 史琪 王海澎 王向前 蒋俊 
本文基于ICP方法对长波HgCdTe材料表面进行了氢化处理,首次在同一焦平面器件上实现了氢化工艺效果的对比。利用原子力显微镜(AFM)、低温探针台系统和焦平面测试系统对HgCdTe材料表面微观形貌及相关器件的电学特性进行了表征分析,结果表...
关键词：长波碲镉汞 氢化处理 AFM 界面电学特性 I-V 焦平面器件测试 
碲镉汞红外焦平面阵列探测器技术的最新进展(上)被引量：4
《红外》2018年第2期44-48,共5页高国龙 
0引言 在过去的50多年中,采用碲镉汞材料的红外探测器技术发生了很大的变化,从整块晶体生长和单个光电探测器制备发展到了非常复杂的外延生长材料和高密度成像焦平面阵列.然而,现有的基于碲镉汞的红外系统依然离不开笨重a昂贵的低温制...
关键词：红外焦平面阵列探测器 低温制冷技术 碲镉汞材料 红外探测器 光电探测器 研究与发展 外延生长 晶体生长 
As掺杂p型碲镉汞材料的研究进展被引量：2
《激光与红外》2017年第9期1059-1062,共4页宋淑芳 田震 
非本征p型掺杂碲镉汞材料可以有效克服少子寿命偏低等问题,提高长波和甚长波红外焦平面器件的性能。本文重点阐述了As掺杂实现p型掺杂的基础性原理,以及在器件方面最新研究进展,为今后As掺杂碲镉汞材料的研究提供依据。
关键词：P型掺杂 碲镉汞 红外焦平面 
碲镉汞材料双面平坦化工艺研究被引量：2
《激光与红外》2017年第8期992-995,共4页李春领 王春红 秦艳红 
国防基础科研计划项目(No.JCKY2016210B002)资助
通过对30mm×25mm尺寸的碲镉汞材料和器件进行双面平坦化工艺,使其平面度达到与Si读出电路互连要小于2μm的要求,提高了MW1280×1024焦平面器件互连成品率。
关键词：碲镉汞 双面平坦化 平面度 倒装互连 
全选清除导出
共5页<12345>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部