碲镉汞材料双面平坦化工艺研究  

Study on double-surface flattening process of HgCdTe material

作　　者：李春领[1] 王春红[1] 秦艳红[1] 

机构地区：[1]华北光电技术研究所,北京100015

出　　处：《激光与红外》2017年第8期992-995,共4页Laser & Infrared

基　　金：国防基础科研计划项目(No.JCKY2016210B002)资助

摘　　要：通过对30mm×25mm尺寸的碲镉汞材料和器件进行双面平坦化工艺,使其平面度达到与Si读出电路互连要小于2μm的要求,提高了MW1280×1024焦平面器件互连成品率。The HgCdTe material with the size of 30 mm × 25 mm is processed by the double-surface flattening process. After processing,the total thickness variation（TTV） is lower than 2 jjim,which meets the demand of Si ROIC flip chip,and the flip chip bonding yield of MW1280 x 1024 focal plane arrays（FPA） is remarkably improved.

关 键 词：碲镉汞 双面平坦化 平面度 倒装互连 

分 类 号：TN213[电子电信—物理电子学]