秦艳红

作品数：2被引量：7H指数：2
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发文主题：碲镉汞红外焦平面化合物半导体材料碲镉汞材料平坦化更多>>
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碲镉汞材料双面平坦化工艺研究被引量：2
《激光与红外》2017年第8期992-995,共4页李春领 王春红 秦艳红 
国防基础科研计划项目(No.JCKY2016210B002)资助
通过对30mm×25mm尺寸的碲镉汞材料和器件进行双面平坦化工艺,使其平面度达到与Si读出电路互连要小于2μm的要求,提高了MW1280×1024焦平面器件互连成品率。
关键词：碲镉汞 双面平坦化 平面度 倒装互连 
化合物半导体材料碲镉汞表面平坦化方法研究被引量：6
《激光与红外》2012年第7期778-780,共3页李春领 何铁生 侯晓敏 秦艳红 王春红 
研究了一种去除碲镉汞液相外延(LPE)薄膜材料表面波纹的方法。器件结果显示,利用该方法可以有效去除碲镉汞薄膜材料表面的波纹,获得较好的平坦化表面,提高了大面积红外焦平面器件芯片工艺和互连效果。
关键词：碲镉汞 表面平坦化 红外焦平面 
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