化合物半导体材料碲镉汞表面平坦化方法研究  

Surface-flattening method research of compound semiconductor HgCdTe material

作　　者：李春领[1] 何铁生 侯晓敏[1] 秦艳红[1] 王春红[1] 

机构地区：[1]华北光电技术研究所 [2]73061部队

出　　处：《激光与红外》2012年第7期778-780,共3页Laser & Infrared

摘　　要：研究了一种去除碲镉汞液相外延(LPE)薄膜材料表面波纹的方法。器件结果显示,利用该方法可以有效去除碲镉汞薄膜材料表面的波纹,获得较好的平坦化表面,提高了大面积红外焦平面器件芯片工艺和互连效果。The article studies a method that can be used to remove the ripple in the surface of liquid-phase expitaxy（LPE）HgCdTe film material.The fabricated device shows that the method is effective for removing the ripple of HgCdTe film,obtaining good surface flatness and the flip chip bonding efficiency had been remarkably improved for large infrared focal plane arrays.

关 键 词：碲镉汞 表面平坦化 红外焦平面 

分 类 号：TN214[电子电信—物理电子学]