李震

作品数：16被引量：26H指数：3
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发文主题：碲镉汞分子束外延HGCDTE硅基CDTE更多>>
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分子束外延中波/中波双色HgCdTe材料研究
《红外》2024年第9期1-6,共6页李震 王丹 邢伟荣 王丛 周睿 折伟林 
国家自然科学基金项目(61971395,52075519)。
采用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)法制备了高质量的npn型中波/中波双色HgCdTe材料。利用傅里叶变换红外光谱仪(Fourier Transform Infrared Spectrometer,FTIR)、二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectroscopy,SIMS)、X射...
关键词：HGCDTE 表面缺陷 原位掺杂 
分子束外延HgTe/CdTe超晶格工艺研究被引量：1
《激光与红外》2023年第9期1384-1387,共4页高达 李震 贺融 王丹 邢伟荣 王丛 折伟林 
报道了分子束外延生长HgTe/CdTe超晶格结构相关技术。采用HgTe/CdTe超晶格结构进行As掺杂是降低As掺杂元素激活温度的技术路径之一。本文采用分子束外延技术在3 in硅衬底上获得了HgTe/CdTe超晶格结构材料,并采用250℃低温退火获得了激...
关键词：分子束外延 碲镉汞 HgTe/CdTe超晶格 
分子束外延In掺杂硅基碲镉汞研究
《红外》2023年第3期14-19,共6页王丹 李震 高达 邢伟荣 王鑫 折伟林 
利用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)系统生长了In掺杂硅基碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride, MCT)材料。通过控制In源温度获得了不同掺杂水平的高质量MCT外延片。二次离子质谱仪(Secondary Ion Mass Spectrometer, SIMS)测...
关键词：分子束外延 碲镉汞 In掺杂 
原位退火对Si基CdTe材料的位错抑制研究
《红外》2023年第2期18-23,共6页李震 王丹 高达 邢伟荣 
国家重点研发计划资助课题(2018YFB2200301);研究生科研与实践创新计划校级项目(2021XKT1254)。
硅与碲镉汞之间的外延碲化镉缓冲层能够减小外延过程中产生的高达107cm^(-2)的位错密度,高温热退火是抑制材料位错的有效方法之一。传统的离位退火技术会导致工艺不稳定和杂质污染等,而原位退火则可有效解决这些问题。利用原位退火技术...
关键词：原位退火 碲化镉 位错密度 
MEE生长参数对复合衬底材料质量的影响
《激光与红外》2022年第5期726-729,共4页李震 高达 王丛 胡雨农 
Si基CdTe中ZnTe缓冲层的生长影响着材料表面粗糙度和半峰宽。本文为了验证分子束外延Si基CdTe中采用迁移增强外延(MEE)技术生长的ZnTe缓冲层的生长参数对复合衬底材料表面粗糙度和半峰宽的影响,对涉及到的MEE生长过程中的主要参数包括:Z...
关键词：碲化锌 碲化镉 迁移增强外延 粗糙度 半峰宽 
大尺寸碲锌镉基碲镉汞材料分子束外延技术研究被引量：3
《激光与红外》2022年第3期388-391,共4页高达 李震 王丹 徐强强 刘铭 
针对高质量、大规模碲镉汞红外焦平面探测器需求的持续增加,本文开展了使用分子束外延方式在50 mm×50 mm(211)B碲锌镉衬底上外延碲镉汞材料技术的研究。通过对碲锌镉衬底改进湿化学腐蚀、碲锌镉衬底预处理、碲锌镉衬底缓冲层生长、碲...
关键词：碲锌镉 碲镉汞 分子束外延 
3 in长波Ⅱ类超晶格分子束外延工艺优化研究
《红外》2021年第11期1-8,共8页胡雨农 邢伟荣 刘铭 周朋 李震 申晨 
为提升大面阵Ⅱ类超晶格红外探测器的性能、产量和材料质量,对3 in长波InAs/GaSbⅡ类超晶格分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)生长工艺优化进行了研究。结合反射式高能电子衍射(Reflection High-Energy Electron Diffraction,RHE...
关键词：分子束外延 Ⅱ类超晶格 3 in GaSb衬底 
分子束外延HgCdTe/CdZnTe(211)B表面缺陷研究被引量：4
《红外》2021年第10期9-15,共7页王丹 高达 李震 刘铭 
HgCdTe材料的表面缺陷是造成探测器性能下降的主要原因之一。采用聚焦离子束(Focused Ion Beam,FIB)、扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)和能量色散X射线光谱仪(Energy Dispersive X-ray Spectrometer,EDX)研究了碲锌镉...
关键词：分子束外延 HGCDTE CDZNTE 缺陷 
基于分子束外延的4 in硅基碲镉汞材料工艺研究被引量：6
《红外》2021年第3期6-10,共5页高达 李震 王丛 王经纬 刘铭 宁提 
现阶段,大面阵碲镉汞红外焦平面探测器的需求持续增加,面向更大尺寸的碲镉汞材料制备技术成为了研究热点。对4 in硅基碲镉汞材料外延技术进行了研究。通过提升设备参数的稳定性、控制外延片的平整度以及优化材料工艺参数等一系列手段,...
关键词：4 in硅衬底 分子束外延 碲镉汞 
4in硅基碲化镉的厚度均匀性研究
《红外》2020年第11期22-26,32,共6页李震 高达 师景霞 王丛 
采用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)方法在4 in硅衬底上进行了硅基碲化镉复合衬底生长工艺研究。使用光学轮廓仪、原子力显微镜、傅里叶红外光谱仪等设备对碲化镉薄膜进行了测试。结果表明,碲化镉薄膜的厚度均匀性、表面粗糙...
关键词：碲化镉 硅基 分子束外延 
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