杜云辰

作品数：8被引量：12H指数：2
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供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文主题：碲镉汞气相外延气相外延生长石英碲化锌更多>>
发文领域：电子电信理学航空宇航科学技术轻工技术与工程更多>>
发文期刊：《红外与激光工程》《激光与红外》《光子学报》《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程中国载人航天工程基金上海市自然科学基金更多>>
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天宫二号碲化锌晶体生长被引量：2
《空间科学学报》2018年第2期234-238,共5页陆液 王仍 杜云辰 焦翠灵 李向阳 
中国载人空间站工程项目(TGJZ800-2-RW024);上海市自然科学基金项目(16ZR1441300);中国科学院上海技术物理研究所创新专项项目(Sciences CX-132);中国科学院实验室创新基金项目(CXJJ-17S066)共同资助
在天宫二号飞船综合材料实验炉六工位采用碲熔剂法生长了碲化锌晶体,生长时最高温度为800℃,以0.5mm·h^(-1)的提拉速度向炉膛内部提拉生长晶体.飞行实验后,用相同实验参数在地面进行了对比实验.结果发现,空间样品尾部有一个非常大的橙...
关键词：碲化锌 微重力 天宫二号 碲熔剂法 
ICP刻蚀气压对碲镉汞电学性能的影响
《半导体光电》2017年第1期61-65,69,共6页操神送 杜云辰 朱龙源 兰添翼 赵水平 罗毅 乔辉 
国家自然科学基金项目(11304335)
研究了利用ICP(Inductively Coupled Plasma)干法刻蚀工艺制备长波碲镉汞光导器件过程中刻蚀气体压强对材料电学参数的影响。发现增大气体压强会导致材料的电学性能衰退,表现为材料的载流子浓度增加、迁移率降低以及电阻率增加。分析认...
关键词：ICP干法刻蚀 碲镉汞光导材料 刻蚀气压 电学特性 
金掺杂HgCdTe气相外延生长及二次离子质谱研究被引量：1
《红外》2016年第10期1-6,16,共7页王仍 焦翠灵 张莉萍 陆液 张可锋 杜云辰 李向阳 
国家自然科学基金项目(61106097;61204134;11304335);中国科学院三期创新项目(CX-26);中国载人空间站工程(TGJZ800-2-RW024)
通过气相外延技术生长了Au掺杂的Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜材料。利用傅里叶光谱仪和金相显微镜对外延材料进行了表征。通过二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectroscopy,SIMS)技术分析了Au在Hg_(1-x)Cd_xTe外延层以及CdZnTe衬底中的纵向分...
关键词：Hg_(1-x)Cd_xTe晶体 二次离子质谱 气相外延 Au掺杂 杂质 
CdZnTe衬底对碲镉汞气相外延表面形貌的影响被引量：1
《激光与红外》2015年第9期1064-1067,共4页王仍 焦翠灵 张莉萍 张可锋 陆液 杜云辰 邵秀华 林杏潮 李向阳 
国家自然科学基金(No.61106097;No.61204134;No.11304335);中科院三期创新项目(No.CX-26);中国载人航天工程资助
利用气相外延技术在Cd Zn Te衬底上生长Hg1-xCdxTe薄膜材料,通过在不同晶向、不同极性、不同晶向偏离角度Cd Zn Te衬底上的外延结果发现,Cd Zn Te衬底对外延形貌的影响非常大。(111)面衬底上外延形貌明显优于(211)面衬底的外延形貌。对...
关键词：Hg1-xCdxTe晶体 CdZnTe衬底 (111)Cd面 (111)Te面 
Hg_(1-x)Cd_xTe梯度带隙薄膜材料生长及红外透射光谱研究被引量：1
《光子学报》2015年第8期6-9,共4页焦翠灵 王仍 张莉萍 林杏潮 邵秀华 杜云辰 陆液 
国家自然科学基金(Nos.61106097;61204134;11304335);中科院三期创新项目(No.CX-26/Q-ZY-87/Q-ZY-88);中国载人航天工程资助
利用气相外延法生长了Hg1-xCdxTe梯度带隙薄膜材料,通过小光点红外透射光谱测试,研究了材料的横向组分波动.利用多层模型和膜系传递矩阵对该薄膜材料的红外透射光谱和气相外延薄膜材料的纵向组分分布进行计算,计算结果与实验吻合,材料...
关键词：碲镉汞 梯度带隙 雪崩光电二极管 红外透射光谱 气相外延薄膜 
Au掺杂碲镉汞气相外延生长及电学性能被引量：2
《红外与毫米波学报》2015年第4期432-436,共5页王仍 焦翠灵 徐国庆 张莉萍 张可锋 陆液 杜云辰 邵秀华 林杏潮 李向阳 
国家自然科学基金(61106097;61204134;11304335);中科院三期创新项目(Q-ZY-87/Q-ZY-88)~~
采用气相外延技术生长Au掺杂的Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜材料,利用范德堡法对薄膜材料进行电学性能表征.通过变温霍尔测量,分析了常规Au掺杂p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化,利用二次离子质谱(SIMS)分析薄膜中Au的纵向分布趋势.讨...
关键词：Hg1-xCdxTe晶体 磁输运 迁移率谱 二次离子质谱 
离子束刻蚀碲镉汞晶体的电学特性研究被引量：1
《物理学报》2015年第11期311-314,共4页徐国庆 刘向阳 张可锋 杜云辰 李向阳 
本文利用迁移率谱分析了离子束刻蚀后的碲镉汞晶体,发现180μm的p型碲镉汞晶体在刻蚀后完全转为n型,且由两个不同电学特性的电子层组成:低迁移率的表面电子层和高迁移率的体电子层.通过分析不同温度下的迁移率谱,表明表面电子层的迁移...
关键词：离子束刻蚀 迁移率谱 表面电子层 体电子层 
金掺杂碲镉汞外延材料生长及拉曼光谱研究被引量：5
《红外与激光工程》2014年第9期3046-3050,共5页王仍 焦翠灵 徐国庆 陆液 张可峰 杜云辰 李向阳 张莉萍 邵秀华 林杏潮 
国家自然科学基金(11304335);中国科学院三期创新项目(Q-ZY-87/Q-ZY-88)
采用气相外延技术生长金掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料,通过高低温退火工艺有效控制p型Hg1-xCdxTe材料的电学参数,利用傅里叶光谱仪、金相显微镜以及拉曼光谱技术对薄膜材料进行表征。通过常规光伏器件的制作工艺,利用金掺杂材料初步研制了...
关键词：气相外延 Hg1-xCdxTe晶体 拉曼光谱 
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