云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 磁输运

磁输运: 作品数：36被引量：28H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：理学电子电信更多>>; 相关作者：褚君浩林铁俞国林郭少令周文政更多>>; 相关机构：中国科学院苏州大学中国科学院大学南京大学更多>>; 相关期刊：《稀有金属》《Science Bulletin》《发光学报》《物理学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>

ZrTe_(5)中的面内垂直电流方向的负磁阻现象: 《Science Bulletin》2023年第14期1488-1492,M0003,共6页马宁强晓斌谢志坚张玉颜世莉曹世民王培培张立源顾根大李强谢心澄卢海舟魏鑫健陈剑豪; supported by the National Key R&D Program of China(2019YFA0308402 and 2018YFA0305604);the Innovation Program for Quantum Science and Technology(2021ZD0302403);the National Natural Science Foundation of China(11934001,92265106,11774010,and 11921005);Beijing Municipal Natural Science Foundation(JQ20002)。; 拓扑材料独特的能带结构有时会导致一些不同寻常的磁输运现象,其中包括当外磁场施加在平行电流方向上时产生的面内纵向负磁阻效应.这种负磁阻效应被普遍认为是拓扑材料中存在手征反常的一个标志.本文报道了一种当面内磁场分别平行和垂...; 关键词：磁阻效应轨道磁矩定量解释量子输运普适模型外磁场能带结构磁输运

单根Co(81)Cu(19)/Cu多层纳米线电学性质的原位测量被引量：4: 《电子显微学报》2020年第5期558-566,共9页张军伟马鸿斌全香凝曾雪胡玥关超帅邓霞李华张铭杰彭勇; 国家自然科学基金资助项目(Nos.51571104,51801087,91962212);兰州大学中央高校基本科研业务费专项资金自由探索项目(No.lzujbky-2020-58);兰州大学大型仪器设备开放共享专项经费支持。; 磁电阻效应是衡量磁结构单体性能的最重要指标。随着对磁电阻效应的不断研究和应用,不仅诞生了与电子自旋相关的自旋电子学理论,同时也促进了电子学器件的快速发展,这不仅为基础物理的理论研究提供了实验根基,也将促进今后大规模高科技...; 关键词：纳米磁结构单体电镜原位磁输运测量仪 CoCu/Cu磁性多层纳米线电学特性

硅掺杂对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格磁输运的影响: 《光学仪器》2020年第5期12-19,共8页应志超宋志勇陈爱英林铁康世雄; 国家自然科学基金(11204334,61475178)。; 针对红外探测器制作特性的要求,改善制作材料的物理性能,为此研究了经硅掺杂的InAs/GaSb二类超晶格薄膜(由MOCVD生长)在12~300 K温度范围下的磁输运性质。用范德堡法进行电学测量,应用霍尔效应原理,计算各温度下样品的迁移率和载流子浓...; 关键词：INAS/GASB超晶格硅掺杂弱局域效应相位相干长度

前沿科技动态: 《科技中国》2020年第8期102-105,共4页; 据PHYS网2020年7月6日消息,美国国家标准技术研究院(NIST)研究人员开发出一种多功能的材料检测仪。该检测仪可从三个层面同时对新型材料进行检测,从而发现材料的特殊性能,帮助量子计算材料的研发。研究人员将原子力显微镜(AFM)、扫描隧...; 关键词：前沿科技固态材料量子计算新型材料微观特性宏观特性磁输运设备整合

HoBi的多重磁相变及磁输运研究: 《常熟理工学院学报》2020年第2期1-3,共3页陈阳周澜屈瑞阳房勇韩志达钱斌江学范; 通过自助溶剂法制备HoBi单晶样品,详细研究其磁性、磁输运性质,发现该材料具有复杂的磁化行为和极大的磁电阻.和一般的半金属不同的是:HoBi的磁电阻在磁相变过程中偏离二次方关系,表明磁有序相影响磁电阻的形成.此外,还发现载流子补偿...; 关键词：磁性磁电阻电子-空穴补偿

铋锑合金中Weyl费米子的磁输运性质研究: 《功能材料》2019年第7期7152-7156,共5页毛兴宇徐恭勤陈晓伟; 国家自然科学基金青年基金项目资助(51601068); 铋锑合金(Bi1-xSbx)的能带结构随x而变化,在拓扑绝缘体和拓扑半金属的研究中具有重要的地位。对Bi0.96Sb0.04的研究表明,该合金的电阻率随温度的升高先升后降,具有典型的半金属特点。在极低温度下可以观察到纵向磁电阻和横向霍尔电阻随...; 关键词：铋锑合金拓扑量子材料 Weyl半金属负磁电阻线性磁电阻

负带隙HgCdTe体材料的磁输运特性研究被引量：1: 《物理学报》2017年第24期211-216,共6页沈丹萍张晓东孙艳康亭亭戴宁褚君浩俞国林; 国家重点研发计划(批准号:2016YFA0202201);国家自然科学基金(批准号:11774367)资助的课题~~; 通过单晶生长了Cd组分为0.1的p型HgCdTe体材料,并制备了具有倒置型能带序的HgCdTe场效应器件.通过磁输运测试,在负带隙HgCdTe体材料中观察到明显的量子霍尔平台效应和Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应,证明样品具有较好的质量.利用SdH振...; 关键词：HGCDTE Shubnikov-de Haas振荡零场自旋分裂能

不同底层对Co/Pt多层膜反常霍尔效应影响的研究被引量：4: 《稀有金属》2016年第1期32-37,共6页俱海浪李宝河陈晓白刘帅于广华; 国家自然科学基金项目(11174020);北京市教委教学名师项目(PXM2013_014213_000013)资助; 采用直流磁控溅射法在玻璃基片上制备了Au,Cu,Pt和Ta底层的Co/Pt多层膜样品,对周期层中Co和Pt进行了调制,获得了各底层的最佳多层膜结构,研究了各底层对Co/Pt多层膜的反常霍尔效应的影响。经研究发现,当底层厚度均为3 nm、周期层中Pt厚...; 关键词：Co/Pt多层膜反常霍尔效应磁输运自旋电子学

Au掺杂碲镉汞气相外延生长及电学性能被引量：2: 《红外与毫米波学报》2015年第4期432-436,共5页王仍焦翠灵徐国庆张莉萍张可锋陆液杜云辰邵秀华林杏潮李向阳; 国家自然科学基金(61106097;61204134;11304335);中科院三期创新项目(Q-ZY-87/Q-ZY-88)~~; 采用气相外延技术生长Au掺杂的Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜材料,利用范德堡法对薄膜材料进行电学性能表征.通过变温霍尔测量,分析了常规Au掺杂p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化,利用二次离子质谱(SIMS)分析薄膜中Au的纵向分布趋势.讨...; 关键词：Hg1-xCdxTe晶体磁输运迁移率谱二次离子质谱

Fe_3O_4(100)/STO(100)薄膜的制备及磁输运特性研究被引量：2: 《三明学院学报》2013年第4期34-38,共5页黄思俞王宗篪; 福建省省属高校科研专项基金项目(JK2010060); 采用脉冲激光沉积方法,以烧结的Fe3O4为靶材,在STO(100)基底上制备了Fe3O4(100)薄膜。XRD和AFM显示薄膜为纯相外延单晶薄膜、表面较平整。对薄膜的磁电阻进行测量,薄膜为负磁电阻,且在Verwey转变温度(约120 K)时磁电阻最大。霍尔效应测...; 关键词：Fe3O4薄膜磁电阻霍尔效应磁滞回线

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