具有高特征温度的808nm大功率半导体激光器  

808 nm high power semiconductor lasers with high characteristic temperature

作　　者：高欣[1] 曲轶[1] 薄报学[1] 张宝顺[1] 张兴德[1] 

机构地区：[1]长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022

出　　处：《半导体光电》1999年第6期388-389,392,共3页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国防科工委;高功率半导体激光国家重点实验室资助项目!(98JS36.3 .1;CS3602)

摘　　要：研制出利用液相外延方法生长８０８ ｎｍ ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ 分别限制单量子阱激光器，其室温连续输出功率达到４ Ｗ，室温工作的特征温度达到２１８ Ｋ。nm InGaAsP/GaAs separate confinement heterostructure (SCH) single quantum well (SQW) lasers are grown by enhanced liquid phase epitaxy (LPE).The high continuous wave output power is 4 W at room temperature.The record characterisic temperature T 0 of the laser is estimated to be about 218 K.

关 键 词：半导体激光器 液相外延 分别限制单量子阱 特征温度 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]