李辉

作品数：1被引量：1H指数：1
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940nm列阵窗口半导体激光器被引量：1
《光电子．激光》2001年第8期825-826,共2页李辉 李军 曲轶 薄报学 张兴德 
本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出 In Ga As/Ga As应变量子阱激光器材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵窗口半导体激光器 ,准连续 (5 0 0μs,10 0 Hz)输出功率达到 80 W(室温 ) ,峰值...
关键词：分子束外延 列阵窗口 半导体激光器 
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