980 nm高功率列阵半导体激光器  

980nm High Power Array Semiconductor Lasers

作　　者：曲轶[1,2] 高欣[2] 薄报学[1,2] 张兴德[2] 石家纬[1] 

机构地区：[1]吉林大学电子工程系,长春130023 [2]长春光学精密机械学院,高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022

出　　处：《光电子技术与信息》2001年第6期28-30,共3页Optoelectronic Technology & Information

基　　金：吉林省科技发展计划资助项目

摘　　要：分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素．利用分子束外延生长方法生长出ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱激光器材料．利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续（１００ Ｈｚ，１００ μｓ）输出功率达到 ８０Ｗ（室温），峰值波长为 ９７８～９８１ｎｍ．The facts which have influenced over the ultimate output power of laser diodes was analyzed in this paper. The InGaAs/GaAs material with strain quantum well structure has been grown by MBE. Array semiconductor laser QCW output power achieves 80 W(100 Hz,100μs, room temperature). The peak wavelength is 978~981 nm.

关 键 词：高功率列阵 半导体激光器 分子束外延 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]