王征宇

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发文主题:半导体功率放大激光器减反射膜半导体功率放大INGAASP/INP更多>>
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InGaAsP/InP半导体功率放大激光器耦合效率的研究
《激光与红外》2008年第3期214-215,共2页杨琏 杨晓妍 王征宇 李松柏 王安锋 薄报学 
通过对波长1.3μm InGaAsP/InP的半导体功率放大激光器端面镀SiO减反射膜工艺过程,从理论和实验上分析了涂层特性,透射率由无膜时的69%和32.6%提高到镀膜后的90%和80%以上,提高器件的耦合效率、输出光功率和工作寿命。
关键词:半导体 功率放大 耦合 减反射膜 
半导体功率放大激光器耦合效率的研究
《激光与红外》2006年第10期938-939,共2页杨琏 杨晓妍 朱明方 刘丹 王征宇 李松柏 王安锋 博报学 任大翠 
通过对波长808nm的GaA lAs/GaAs半导体功率放大激光器端面镀SiO减反射膜工艺过程,从理论和实验上分析了其涂层特性,透射率由无膜时的69%和32.6%提高到镀膜后的90%和80%以上,提高器件的耦合效率、输出光功率和工作寿命。
关键词:半导体功率放大 耦合效率 减反射膜 
GaAlAs半导体功率放大激光器耦合效率的研究
《长春理工大学学报(自然科学版)》2006年第3期12-13,共2页杨晓妍 杨琏 刘丹 王征宇 李松柏 王安锋 
通过对波长808nm的GaAIAs/GaAs半导体功率放大激光器端面镀ZrO2减反射膜工艺过程,从理论和实验上分析了涂层特性,透射率由无膜时的69%和32.6%提高到镀膜后的90%和80%以上,提高器件的耦合效率、输出光功率和工作寿命。
关键词:半导体 功率放大 耦合 减反射膜 
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