夜视系统用GaAs/GaAlAs半导体激光器  被引量:2

GaAs/GaAlAs semiconductor lasers for night vision systems

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作  者:宋晓伟[1] 李梅[1] 李军[1] 任大翠[1] 

机构地区:[1]长春光机学院高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022

出  处:《半导体光电》1999年第5期363-365,共3页Semiconductor Optoelectronics

摘  要:利用改进的液相外延技术生长出了GaAs/GaAlAs 夜视系统用光源。样品质量达到了设计要求。测量结果表明,样品在10 K 下的光荧光谱的峰值波长为926 .26 nm 。利用该材料制作的激光二极管,其峰值输出功率达到15 W。GaAlAs/GaAs used for light source of night vision systems has been grown by modified LPE technology. The experimental results show that sample's quality meets the requirement of design and photoluminescence peak wavelength is 926.26 nm at 10 K . The peak output power of laser diodes using this material is up to 15 W.

关 键 词:半导体激光器 液相外延 夜视系统 

分 类 号:TN248.4[电子电信—物理电子学]

 

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