GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器  

Semiconductor Laser with GaAlAs/GaAs Single Quantum Well Array

作　　者：万春明[1] 徐安怀[1] 曲轶[1] 

机构地区：[1]长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130022

出　　处：《吉林工业大学自然科学学报》2001年第4期63-65,共3页Natural Science Journal of Jilin University of Technology

摘　　要：分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出ＧａＡＩＡＳ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱材料（ＣＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率可达１０ Ｗ，峰值波长为 ８０６～８０９ ｎｍ。The GaAlAs/GaAs material with gradient refraction index separate confinement single quatum well structure has been worked out by MBE. Array laser diodes CW output power achieves 10W under the room temperature. The peak wavelength is 806 ～ 809 nm.

关 键 词：半导体激光器 分子束外延生长 量子阱 输出功率 梯度折射率 GAALAS GaAs 砷化镓 镓铝砷 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]