金峰

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供职机构：清华大学电子工程系更多>>
发文主题：INGAAS/INALAS光调制器多量子阱电吸收光调制器电吸收更多>>
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InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器
《高技术通讯》1997年第6期24-26,共3页金峰 孙可 俞谦 王健华 李德杰 蔡丽红 黄绮 周钧铭 
863计划资助
在国内首次设计并制作了脊波导结构的In(0.53)Ga(0.47)As／In(0.52)Al(0.48)AS多量子阱电吸收型光调制器，并对它的工作特性进行了测试。在3.0V的驱动电压下实现了20dB以上的消光比，光3dB带宽达到了3GHz。对限制光调制器带宽的主要原...
关键词：光调制器 电吸收 多量子阱 INGAAS/INALAS 
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