SLA端面增透膜设计的理论分析与计算  

Theoretical Analysis and Calculation of Antireflection Coating on Semiconductor Laser Amplifier Facets

作　　者：鲁乙喜 王健华[1] 周丹 

机构地区：[1]清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室,北京100084

出　　处：《半导体光电》2000年第2期143-146,149,共5页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目

摘　　要：文章推导了多层平板波导结构的半导体激光放大器 (SLA)端面反射率的计算方法 ,为优化设计SLA端面增透膜参数提供了工具。对InGaAs/InGaAlAs多量子阱SLA端面增透膜参数进行了优化设计 ,并给出优化结果。A method for calculating facet reflectivity of semiconductor laser amplifiers (SLA)with multilayer slab waveguide structure is derived,which provides a tool for optimizing antireflection coating parameters on SLA facets. Optimal result of antireflection coating on InGaAs/InGaAlAs multiple quantum well SLA is given.

关 键 词：半导体激光器放大器 增透膜 端面镀膜 光纤通信 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]