朱战萍

作品数：8被引量：8H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：砷化镓分子束外延ALGAASMBE大功率半导体激光器更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《真空科学与技术学报》《Journal of Semiconductors》《发光学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划“九五”国家科技攻关计划更多>>
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MBE生长的高质量AlGaAs/InGaAs双δ掺杂PHEMT结构的材料被引量：1
《Journal of Semiconductors》2000年第9期934-936,共3页曹昕 曾一平 孔梅影 王保强 潘量 张昉昉 朱战萍 
"九五"国家重点科技攻关项目!97-770 -0 1 -0 1支持课题&&
用 MBE方法制备的 PHEMT微结构材料 ,其 2 DEG浓度随材料结构的不同在 2 .0— 4.0× 1 0 12 cm- 2 之间 ,室温霍耳迁移率在 50 0 0— 650 0 cm2 · V- 1· s- 1之间 .制备的 PHEMT器件 ,栅长为 0 .7μm的器件的直流特性 :Idss～ 2 80 m ...
关键词：PHEMT MBE AlGaAs/InGaAs 掺杂 
高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性被引量：1
《Journal of Semiconductors》1997年第5期391-394,共4页朱东海 王占国 梁基本 徐波 朱战萍 张隽 龚谦 金才政 丛立方 胡雄伟 韩勤 方祖捷 刘斌 屠玉珍 
国家"863"计划的支持
本文介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性．激光器的室温连续输出功率达到2W．在95℃高温连续工作状态下，其输出功率仍可达到500mW的水平．器件的特征温度高达185K（35～85℃）及163K（85～95℃）．同室...
关键词：单量子阱 激光器 材料生长 
MBE自组织生长多层竖直自对准InAs量子点结构的研究被引量：1
《发光学报》1997年第3期228-231,共4页朱东海 范缇文 梁基本 徐波 朱战萍 龚谦 江潮 李含轩 周伟 王占国 
国家自然科学基金
利用ＭＢＥ方法在（００１）ＧａＡｓ衬底上生长了多层竖直自对准ＩｎＡｓ量子点结构．透射电子显微镜的观察表明，多层量子点成一系列柱状分布．同单层量子点相比，多层量子点的光荧光谱线发生红移．这表明由于量子点中载流子波函数的...
关键词：量子点 分子束外延 自组织生长 砷化铟 
808nm GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器波长的影响因素及控制被引量：4
《Journal of Semiconductors》1997年第2期108-112,共5页朱东海 梁基本 徐波 朱战萍 张隽 龚谦 李胜英 王占国 
通过对影响GaAs／AlGaAs激光器波长的各种因素的分析讨论与实验研究，制备了性能优良的808umGaAs／AlGaAs大功率激光器材料．应用此材料制作的激光器的结果表明，器件室温连续输出功率1W时，激射波长仍可保持在808nm附近，器件的室温连...
关键词：量子阱 半导体激光器 砷化镓 ALGAAS 激射波长 
高电子迁移率GaAs／Al_xGa_（1－x）As二维电子气（2DEG）异质结结构参数优化研究
《Journal of Semiconductors》1995年第9期706-710,共5页杨斌 王占国 陈涌海 梁基本 廖奇为 林兰英 朱战萍 徐波 李伟 
国家自然科学基金
本文采用三角附近似，考虑了ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ（１－）ｘＡｓ二维电子气（２ＤＥＧ）异质结中七种主要的散射机制，计算了２ＤＥＧ电子迁移率与隔离层厚度（ｄ）和Ａｌ组分（ｘ）的关系，对ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）ＡＳ异质...
关键词：砷化镓 ALGAAS 高电子迁移率 异质结 参数优化 
低温分子束外延GaAS薄膜的研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1994年第5期317-321,共5页邓航军 范缇文 王占国 梁基本 朱战萍 李瑞钢 
我们利用分子束外延方法生长了低温ＧａＡｓ薄膜，并应用Ｘ射线双晶衍射、ＴＥＭ等手段对其进行了初步研究．发现原生样品和树底之间存在晶格失配．随着退火温度的上升，晶格失配逐渐消失．ＴＥＭ观察到６００，７００，８５０℃退火后...
关键词：分子束外延 砷化镓 薄膜 
分子束外延低温生长GaAs缓冲层及性能研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1993年第12期768-770,共3页梁基本 孔梅影 王占国 朱战萍 段维新 王春艳 张学渊 曾一平 
用国产分子束外延设备(Ⅳ型),在低温(200—300℃)下生长了GaAs,AlGaAs和GaAs-AlGAs超晶格。本文着重提出对在低温生长GaAs缓冲层上生长优质GaAs有源层,尤其对缺陷和杂质很敏感的高电子迁移率晶体管结构材料进行研究。
关键词：砷化镓 外延生长 缓冲层 
分子束外延反射式高能电子衍射的强度振荡采集系统及其应用
《真空科学与技术学报》1990年第3期205-207,共3页张晓秋 朱战萍 孙殿照 孔梅影 曾一平 郑海群 阎春辉 
在分子束外延(MBE)设备上设计和装配了一套反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡的采集系统。用本系统在MBE生产GaAs和Al_xGa_(1-x)As材料时观察了RHEED强度振荡现象。并“在位”得到GaAs和Al_xGa_(1-x)As材料的生长速率和Al_xGa_(1-x)As...
关键词：高能电子衍射 分子束外延 采集系统 反射式 振荡现象 外延层 采集记录 摩尔分数 杂散光 超晶格 
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