王春艳

作品数：3被引量：1H指数：1
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GaAs／GaP界面的X射线掠入射衍射分析
《Journal of Semiconductors》1994年第2期119-122,共4页崔树范 吴兰生 王观明 麦振洪 王春艳 王玉田 李梅 葛中久 
国家自然科学基金
本文用掠入射全反射Ｘ射线衍射，结合常规Ｘ射线衍射，对ＧａＡｓ／ＧａＰ应变层界面进行了研究，给出了界面关配度、薄膜晶胞的畸变和界面弛豫等结构参数．结果表明掠入射衍射（ＧＩＤ）是测定半导体薄外延膜界面结构的有效工具．
关键词：砷化镓 磷化镓 X辐射 衍射分析 
分子束外延低温生长GaAs缓冲层及性能研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1993年第12期768-770,共3页梁基本 孔梅影 王占国 朱战萍 段维新 王春艳 张学渊 曾一平 
用国产分子束外延设备(Ⅳ型),在低温(200—300℃)下生长了GaAs,AlGaAs和GaAs-AlGAs超晶格。本文着重提出对在低温生长GaAs缓冲层上生长优质GaAs有源层,尤其对缺陷和杂质很敏感的高电子迁移率晶体管结构材料进行研究。
关键词：砷化镓 外延生长 缓冲层 
MBE GaAs/GaP(001)异质外延层结构参数的X射线双晶衍射研究
《Journal of Semiconductors》1991年第8期513-517,共5页王春艳 王玉田 孔梅影 
国家自然科学基金
本文利用X射线双晶衍射方法,研究了分子束外延(MBE)GaAs/CaP(001)异质外延层的结构参数——晶格常数、晶胞体积.根据X射线衍射动力学理论和运动学理论分别对双晶衍射摇摆曲线的峰角位置进行了修正,二者吻合很好.修正后的结果表明:X射线...
关键词：双晶衍射 GaAs/GaP 外延层结构 MBE 
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