GaAs／GaP界面的X射线掠入射衍射分析  

X-Ray Grazing Incidence Diffraction Analysis of GaAs/GaP Interfaces

作　　者：崔树范[1] 吴兰生[1] 王观明 麦振洪[1] 王春艳[1] 王玉田[1] 李梅 葛中久 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院长春物理研究所

出　　处：《Journal of Semiconductors》1994年第2期119-122,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文用掠入射全反射Ｘ射线衍射，结合常规Ｘ射线衍射，对ＧａＡｓ／ＧａＰ应变层界面进行了研究，给出了界面关配度、薄膜晶胞的畸变和界面弛豫等结构参数．结果表明掠入射衍射（ＧＩＤ）是测定半导体薄外延膜界面结构的有效工具．Abstract The interfaces of strained layers GaAs/GaP are investigated by means ofX-ray grazing incidence diffraction under total external reflection conditions,combi ned with regular X-ray diffraction. The distortion of the thin films,the parametersof mismatch and relaxation of the interface are established. The results show thatgrazing incidence diffraction (GID) is a powerful tool for determining the interfacestructure of semiconductor epitaxial thin films.

关 键 词：砷化镓 磷化镓 X辐射 衍射分析 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]