张隽

作品数：2被引量：4H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：ALGAAS大功率半导体激光器GAAS/ALGAAS激射波长砷化镓更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划更多>>
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高温连续输出AlGaAs大功率单量子阱激光器的工作特性被引量：1
《Journal of Semiconductors》1997年第5期391-394,共4页朱东海 王占国 梁基本 徐波 朱战萍 张隽 龚谦 金才政 丛立方 胡雄伟 韩勤 方祖捷 刘斌 屠玉珍 
国家"863"计划的支持
本文介绍了利用MBE方法生长的大功率AlGaAs单量子阱激光器的高温工作特性．激光器的室温连续输出功率达到2W．在95℃高温连续工作状态下，其输出功率仍可达到500mW的水平．器件的特征温度高达185K（35～85℃）及163K（85～95℃）．同室...
关键词：单量子阱 激光器 材料生长 
808nm GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器波长的影响因素及控制被引量：4
《Journal of Semiconductors》1997年第2期108-112,共5页朱东海 梁基本 徐波 朱战萍 张隽 龚谦 李胜英 王占国 
通过对影响GaAs／AlGaAs激光器波长的各种因素的分析讨论与实验研究，制备了性能优良的808umGaAs／AlGaAs大功率激光器材料．应用此材料制作的激光器的结果表明，器件室温连续输出功率1W时，激射波长仍可保持在808nm附近，器件的室温连...
关键词：量子阱 半导体激光器 砷化镓 ALGAAS 激射波长 
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