郑海群

作品数：11被引量：6H指数：2
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：GAAS砷化镓XGAAS/ALGAAS多量子阱红外探测器更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《电子显微学报》《红外与毫米波学报》《科学通报》《真空科学与技术学报》更多>>
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晶格匹配型GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱电极光电转换性能的研究
《中国科学（A辑）》1997年第3期270-274,共5页刘尧 肖绪瑞 曾一平 阎春辉 郑海群 孙殿照 
国家自然科学基金资助项目
研究了晶格匹配型GaAs/Al_xGa_1_xAs超晶格量子阱电极在非水溶液中的光电转换性能,以及电极结构参数(如阱宽、外垒厚度,量子阱周期)对其光电转换性能的影响,并设计生长了量子产率可比GaAs电极高3倍的变阱宽多周期新型结构的量子阱电极。
关键词：量子阱 半导体电极 砷化镓 光电转换性能 
GaAs／AlxGa_（1－x）As量子阱电极／非水溶液界面性能的研究被引量：1
《电化学》1995年第2期136-140,共5页刘尧 肖绪瑞 曾一平 孙殿照 阎春辉 郑海群 
用阻抗谱研究了晶格匹配型单、多量子阱ＧａＡｓ／Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ电极在二茂铁乙腈溶液中的界面性能．得到了空间电荷层电容及表面态电容与电极电位的依赖关系．空间电荷电容与量子阱电极的结构有关，而表面态电容则决定...
关键词：量子阱电极 阻抗谱 表面态 界面性能 
多量子阱GaAs／Al_xGa_（1－x）As电极的瞬态光电流行为
《电化学》1995年第1期21-24,共4页刘尧 肖绪瑞 林原 曾一平 孙殿照 郑海群 
国家自然科学基金
多量子阱ＧａＡｓ／Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ电极的瞬态光电流行为刘尧，肖绪瑞，林原（中国科学院感光化学所，北京１００１０１）曾一平，孙殿照，郑海群（中国科学院半导体研究所，北京１０００８３）由于半导体超晶格（量子阱...
关键词：量子阱 超晶格 半导体 MQW电极 
GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As短周期超晶格中负微分电导效应的观察
《科学通报》1995年第5期407-409,共3页徐士杰 刘剑 郑厚植 李月霞 李承芳 郑海群 
1970年,Esaki和Lsu提出了半导体超晶格的概念,旨在获得一个全新物理范畴的电子性质.由于超晶格中电子态之间的耦合,导致微带形成,载流子在这些微带中的输运将展现出新的物理现象,例如,Esaki和Lsu所预言的负微分电导效应.然而,后来在超...
关键词：半导体 ALGAAS 超晶格 负微分 电导效应 砷化镓 
GaAs／AlGaAs多量子阱二维面阵红外探测器被引量：2
《Journal of Semiconductors》1995年第1期48-51,共4页李晋闽 郑海群 曾一平 孔梅影 
本文报道１０×１６元二维面阵ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器的研究进展．通过表面光栅耦合，采用垂直入射的工作模式，在Ｔ＝８０Ｋ时探测率为２．９×１０（１０）ｃｍ·Ｈｚ（１／２）／Ｗ，电压响应率为１．３×１０４...
关键词：红外探测器 量子阱 砷化镓 砷化镓铝 
具有宽带响应的GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器
《红外与毫米波学报》1994年第5期377-380,共4页李晋闽 郑海群 曾一平 孔梅影 
国家自然科学基金资助项目
报道具有宽带响应的130元线列GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的研究进展.通过表面光栅耦合,采用垂直入射的工作模式,在T=80K时测得器件探测率的光谱响应曲线的半峰宽为4.3μm.在λ_p=9.5μm时的峰值探测率为4.89×10~9cmHz^(1/2)/W,电...
关键词：红外探测器 多量子阱 砷化镓 ALGAAS 
分子束外延GaAs_（1－x）Sb_x／GaAs及界面失配研究被引量：3
《Journal of Semiconductors》1994年第10期665-669,共5页阎春辉 郑海群 范缇文 孔梅影 曾一平 黄运衡 朱世荣 孙殿照 
本文以开发长波长半导体光电子材料为目的，对ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ／ＧａＡｓ这一大失配异质结材料开展了较为深人的研究，利用国产ＭＢＥＩＩＩ型设备外延生长了全组分的ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ材料，化学热力学数据分析表明，Ｓｂ结合...
关键词：分子束外延 半导体材料 砷化镓 界面失配 GAASSB 
晶格匹配型单量子阱GaAs/AI_xGa_(1-x)As半导体电极的光电化学行为
《科学通报》1994年第16期1493-1496,共4页刘尧 肖绪瑞 李学萍 阎春辉 曾一平 孙殿照 郑海群 国红熙 
国家自然科学基金资助项目
近年来,在半导体光电化学领域中,半导体超晶格(量子阱)材料作为一种新型的光电极的研究已引起人们广泛的注意和重视.由于半导体超晶格(量子阱)能带的量子化,因此具有许多完全不同于体材料的新特性,如其量子阱中的激子受到阱宽的限制不...
关键词：光电极 砷化镓 铝镓砷 半导体 
用于HEMT的调制掺杂材料的研制
《半导体情报》1991年第6期13-15,共3页郑海群 孙殿照 阎春辉 梁基本 曾一平 孔梅影 
国家自然科学基金
本文介绍了AlGaAs/GaAs系列HEMT用的调制掺杂(MD)材料的研制工作,并且给出了用该材料研制的器件结果。
关键词：三元化合物 半导体材料 HEMT 掺杂 
MBE生长的GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs系中缺陷的研究
《电子显微学报》1990年第3期193-193,共1页范缇文 阎春辉 郑海群 孔梅影 田连地 周玉清 
GaAs_(1-x)Sb_x作为有前途的长波长光电材料已受到了广泛的重视。但是由于GaAs_(1-x)Sb_x在GaAs衬底上进行外延生长时存在过大的晶格失配度(约7.5％)而遇到了较大的困难。为了提高材料的质量,对于GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs体系异质结界面失...
关键词：MBE GaAs-Sb/GaAs 缺陷 半导体材料 
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