MBE生长的GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs系中缺陷的研究  

作　　者：范缇文[1] 阎春辉 郑海群[1] 孔梅影[1] 田连地 周玉清[2] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所 [2]中国科学院物理研究所

出　　处：《电子显微学报》1990年第3期193-193,共1页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

摘　　要：GaAs_(1-x)Sb_x作为有前途的长波长光电材料已受到了广泛的重视。但是由于GaAs_(1-x)Sb_x在GaAs衬底上进行外延生长时存在过大的晶格失配度(约7.5％)而遇到了较大的困难。为了提高材料的质量,对于GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs体系异质结界面失配位错的分析已成为了有兴趣的研究课题。本文对用分子束外延(MBE)生长的GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs系材料的界面缺陷进行了横断面透射电子显微镜和高分辩电子显微镜的研究,目的在于了解界面的缺陷行为并探讨改进材料质量的途径。

关 键 词：MBE GaAs-Sb/GaAs 缺陷 半导体材料 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学]