晶格匹配型GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱电极光电转换性能的研究  

作　　者：刘尧[1] 肖绪瑞[1] 曾一平[2] 阎春辉 郑海群[2] 孙殿照[2] 

机构地区：[1]中国科学院感光化学研究所,北京100101 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《中国科学（A辑）》1997年第3期270-274,共5页Science in China(Series A)

基　　金：国家自然科学基金资助项目

摘　　要：研究了晶格匹配型GaAs/Al_xGa_1_xAs超晶格量子阱电极在非水溶液中的光电转换性能,以及电极结构参数(如阱宽、外垒厚度,量子阱周期)对其光电转换性能的影响,并设计生长了量子产率可比GaAs电极高3倍的变阱宽多周期新型结构的量子阱电极。

关 键 词：量子阱 半导体电极 砷化镓 光电转换性能 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]