GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As短周期超晶格中负微分电导效应的观察  

作　　者：徐士杰[1] 刘剑[1] 郑厚植[1] 李月霞[1] 李承芳[1] 郑海群[2] 

机构地区：[1]半导体超晶格国家重点实验室 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《科学通报》1995年第5期407-409,共3页Chinese Science Bulletin

摘　　要：1970年,Esaki和Lsu提出了半导体超晶格的概念,旨在获得一个全新物理范畴的电子性质.由于超晶格中电子态之间的耦合,导致微带形成,载流子在这些微带中的输运将展现出新的物理现象,例如,Esaki和Lsu所预言的负微分电导效应.然而,后来在超晶格中载流子纵向输运实验上所观察到的低温条件下的负微分电导效应是由于高场畴或者级连共振隧穿引起的.最近,Sibille等人在GaAs/AlAs短周期超晶格中在室温条件下观察到Esaki-Lsu所预言的负微分电导效应.在本文中,我们给出了GaAs/Al_0.3Ga_0.7As短周期超晶格在300K和77K温度下的微带输运实验结果,两个温度下的实验数据均表现出清楚的负微分电导效应,而且77K温度下的微带电导明显地大于300K下的微带电导,这与理论的预言是相符的.

关 键 词：半导体 ALGAAS 超晶格 负微分 电导效应 砷化镓 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]