徐士杰

作品数：19被引量：24H指数：3
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发文主题：砷化镓纳米硅薄膜半导体GAAS纳米硅更多>>
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电子和中子辐照n型6H-SiC的光致发光谱
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期11-14,共4页钟志亲 龚敏 王鸥 余洲 杨治美 徐士杰 陈旭东 凌志聪 冯汉源 Beling C D 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60076010) Project supported by the National Natural Science Foundation of China (No. 60076010)
对用电子能量为1.7,0.5和0.4MeV的电子辐照和中子辐照后的n型6H-SiC样品进行低温光致发光研究.对于Ee≥0.5MeV电子辐照和中子辐照后的样品,首次发现了位于478.6/483.3/486.1n m的S1/S2/S3谱线.对样品进行热退火研究表明S1/S2/S3谱线在50...
关键词：6H-SIC 辐照 LTPL 缺陷 
MBE生长的In_(1-x-y)Ga_xAl_yAs/InP四元混晶的拉曼散射
《光散射学报》1997年第2期155-156,共2页韩和相 汪兆平 李国华 徐士杰 刘南竹 朱作明 
ＭＢＥ生长的Ｉｎ１－ｘ－ｙＧａｘＡｌｙＡｓ／ＩｎＰ四元混晶的拉曼散射韩和相汪兆平李国华徐士杰刘南竹朱作明（中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京１０００８３）ＯｐｔｉｃａｌＰｈｏｎｏｎＲａｍａｎＳｃａｔ...
关键词：铟镓铝砷 MBE 四元混晶 拉曼散射 
纳米硅薄膜中的量子点特征被引量：12
《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1996年第6期700-704,共5页何宇亮 余明斌 吕燕伍 戎霭伦 刘剑 徐士杰 罗克俭 奚中和 
国家自然科学基金;中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家实验室支持课题
从电性和结构上论证了纳米硅薄膜中的细微晶粒(3～6 nm)具有量子点(Q.D)特征。在其电导曲线中呈现出随晶粒尺寸减而增大的小尺寸效应。使用薄层(～20nm厚)纳米硅膜制成了隧道二极管,已在液氮温区(≈77K)在其Ⅰ-Ⅴ及(?)-Ⅴ曲线上呈现出Co...
关键词：纳米硅 量子点 量子隧穿作用 薄膜 半导体 
纳米硅薄膜的电致发光和光致发光被引量：6
《Journal of Semiconductors》1995年第12期913-916,共4页余明斌 李雪梅 何宇亮 徐士杰 刘剑 罗晋生 魏希文 郑厚植 戌霭伦 
国家基金;中科院半导体超晶格与微结构国家重点实验室申请课题
对用ＰＥＣＶＤ方法控制生长条件制备的纳米硅薄膜材料的发光性质进行了初步研究．在膜的纵向加直流偏压，暗场环境下可清楚地看到材料的电致发光现象．在同一套测量系统中分别测量了纳米硅材料的电致发光光谱和光致发光光谱，并用Ｌａ...
关键词：纳米硅薄膜 硅薄膜 电致发光 光致发光 
在纵向电场作用下量子阱中空间直接／间接激子的转化
《Journal of Semiconductors》1995年第9期711-715,共5页罗克俭 郑厚植 李承芳 徐士杰 张鹏华 张伟 杨小平 
国家攀登计划资助
本文采用特殊设计的阶梯型量子阱结构研究了在纵向电场作用下量子阱中空间直接／间接激子的转化．在７７Ｋ低温下，我们从稳态光荧光谱（ＰＬ谱）上直接观察到了这种转化所导致的光谱激子峰的蓝移．
关键词：量子阱 激子 电场 纵向电场 半导体 
超导体／半导体界面处的电子相互作用──JOFET器件和Andreev反射被引量：2
《物理》1995年第9期539-542,共4页刘剑 郑厚植 徐士杰 
国家攀登计划资助项目
介绍了低维系统物理与器件研究领域内最近兴起的一个十分引人注目的交叉学科课题：超导体／半导体／超导体双异质结结构中电子在超导体／半导体界面处的相互作用行为，包括超导邻近效应（ｐｒｏｘｉｍｉｔｙｅｆｆｅｃｔ）及Ｊｏｓｅｐ...
关键词：超导体 半导体 界面 场效应晶体管 双异质结 
电子波在量子阱势垒上方的局域和束缚──一种法布里－珀罗电子滤波器被引量：4
《物理》1995年第3期151-153,共3页徐士杰 刘剑 郑厚植 
最近，电子态在量子阱势垒上方的局域和束缚已为实验证实。这是电子的波动性和干涉效应的一种直接实验验证。试图介绍这种所谓“正能量”束缚态的形成机制，以引起我国学者注意。
关键词：量子阱 局域化 束缚态 势垒 电子波 
纳米硅薄膜的电致发光和光致发光探索被引量：1
《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1995年第3期359-361,共3页何宇亮 余明斌 万明芳 李雪梅 徐士杰 刘湘娜 于晓梅 郑厚植 罗晋生 魏希文 戎霭伦 
国家自然科学基金;中国科学院半导体所超晶格与微结构国家重点实验室课题
自从多孔硅的光致发光被报道以来,引起人们的极大关注,这方面的研究得到很大的发展。关于其发光机理,文献[2～4]分别作了解释,目前还存在一定分歧,但人们已经普遍认为量子限制效应在起重要作用,同时表面态也有一定作用。另一方面,虽然...
关键词：纳米硅 电致发光 光致发光 薄膜 
GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As短周期超晶格中负微分电导效应的观察
《科学通报》1995年第5期407-409,共3页徐士杰 刘剑 郑厚植 李月霞 李承芳 郑海群 
1970年,Esaki和Lsu提出了半导体超晶格的概念,旨在获得一个全新物理范畴的电子性质.由于超晶格中电子态之间的耦合,导致微带形成,载流子在这些微带中的输运将展现出新的物理现象,例如,Esaki和Lsu所预言的负微分电导效应.然而,后来在超...
关键词：半导体 ALGAAS 超晶格 负微分 电导效应 砷化镓 
GaAs／AlGaAs非对称耦合双阱光荧光的温度依赖关系
《红外与毫米波学报》1994年第1期77-80,共4页徐士杰 刘剑 李国华 郑厚植 江德生 
报道了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ非对称耦合双量子附Ｐｉｎ结构在不同温度下的光荧光谱，观察到宽附与窄阱重空穴激子峰荧光强度随温度上升而较快下降的不同变化关系，结果表明窄阱电子的热发射是导致窄附光荧光强度随温度上升而较快下降...
关键词：光荧光 量子阱 温度相关 砷化镓 
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