电子和中子辐照n型6H-SiC的光致发光谱  

Photoluminescence of Electron-and Neutron-Irradiated n-Type 6H-SiC

作　　者：钟志亲[1] 龚敏[1] 王鸥[1] 余洲[1] 杨治美[1] 徐士杰[1] 陈旭东[1] 凌志聪[1] 冯汉源[1] Beling C D 

机构地区：[1]四川大学物理科学与技术学院,成都,610064 四川大学物理科学与技术学院,成都,610064 四川大学物理科学与技术学院,成都,610064 四川大学物理科学与技术学院,成都,610064 四川大学物理科学与技术学院,成都,610064 香港大学物理系,香港 香港大学物理系,香港 香港大学物理系,香港 香港大学物理系,香港 香港大学物理系,香港

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期11-14,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60076010) Project supported by the National Natural Science Foundation of China (No. 60076010)

摘　　要：对用电子能量为1.7,0.5和0.4MeV的电子辐照和中子辐照后的n型6H-SiC样品进行低温光致发光研究.对于Ee≥0.5MeV电子辐照和中子辐照后的样品,首次发现了位于478.6/483.3/486.1n m的S1/S2/S3谱线.对样品进行热退火研究表明S1/S2/S3谱线在500℃下消失,而退火温度高于700℃时D1中心出现.考虑到产生C空位和Si空位所需的位移阈能以及热退火行为,说明S1/S2/S3为初级Si空位初级缺陷,而D1中心为二次缺陷.

关 键 词：6H-SIC 辐照 LTPL 缺陷 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]