凌志聪

作品数：3被引量：3H指数：1
导出分析报告
供职机构：香港大学更多>>
发文主题：衬底高介电常数脉冲激光沉积法脉冲激光沉积脉冲激光更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《物理》更多>>
所获基金：香港特区政府研究资助局资助项目国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
ZnO/p-Si异质结构的电学输运特性被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期149-152,共4页顾启琳 陈旭东 凌志聪 梅永丰 傅劲裕 萧季驹 朱剑豪 
香港特别行政区研究资助局资助项目(批准号:7032104)
采用等离子体浸没离子注入沉积方法,在p型Si衬底上制备了具有整流特性的、非故意掺杂的以及掺氮的ZnO/p-Si异质结.非故意掺杂的ZnO薄膜为n型(电子浓度为1019cm-3数量级),掺氮的ZnO薄膜为高阻(电阻率为105Ω·cm数量级).非故意掺杂的ZnO/...
关键词：PIII&D ZnO/p-Si异质结 ANDERSON模型 空间电荷限制模型 电流输运 
电子和中子辐照n型6H-SiC的光致发光谱
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期11-14,共4页钟志亲 龚敏 王鸥 余洲 杨治美 徐士杰 陈旭东 凌志聪 冯汉源 Beling C D 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60076010) Project supported by the National Natural Science Foundation of China (No. 60076010)
对用电子能量为1.7,0.5和0.4MeV的电子辐照和中子辐照后的n型6H-SiC样品进行低温光致发光研究.对于Ee≥0.5MeV电子辐照和中子辐照后的样品,首次发现了位于478.6/483.3/486.1n m的S1/S2/S3谱线.对样品进行热退火研究表明S1/S2/S3谱线在50...
关键词：6H-SIC 辐照 LTPL 缺陷 
六方碳化硅中的深能级缺陷被引量：2
《物理》2004年第11期786-790,共5页凌志聪 陈旭东 冯汉源 C.D.Beling 龚敏四川大学物理学院 葛惟锟 王建农 G.Brauer W.Anwand W.Skorupa 
香港特区研究资助局资助;香港大学教育研究基金 (批准号 :70 85 /0 1P)资助项目
文章作者利用深能级瞬态谱 (DLTS) ,正电子湮灭谱 (PAS)和光致荧光谱 (PL)等谱分析技术研究了六方碳化硅中具有电活性的深能级缺陷 .这些深能级缺陷分别通过不同能量的电子辐照、中子辐照 ,或氦离子注入等产生 .经过研究和分析各种实验...
关键词：能级 可控 湮灭 氦离子 正电子 电子辐照 光谱 六方 研究结果 PL 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部