王建农

作品数：17被引量：42H指数：3
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供职机构：香港科技大学更多>>
发文主题：3C-SIC薄层碳化硅砷化镓SI衬底更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》《西安电子科技大学学报》《物理学报》《物理》更多>>
所获基金：国家自然科学基金香港特区政府研究资助局资助项目国家攀登计划国家重点基础研究发展计划更多>>
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CdSe四脚状纳米晶粒的光荧光研究
《微纳电子技术》2011年第5期300-304,310,共6页赵莉娟 陆爱江 庞起 葛惟昆 王建农 
国家自然科学基金资助项目(10904011;20863008);上海市科学技术委员会资助项目(10ZR1400200)
采用高温微乳液的化学方法,在溶液中合成了高产率的CdSe四脚状纳米晶粒。高分辨透射电镜(HRTEM)分析结果表明,CdSe四脚状纳米晶粒是由1个立方的核心和4个六方的臂所组成。研究了该四脚晶粒的变激发功率光荧光(PL)谱和变温的PL谱,分析发...
关键词：四脚状纳米晶粒 变功率光荧光(PL) 变温光荧光(PL) 表面缺陷 局域化 高产率 
CdSe四脚状纳米颗粒的光学性质(英文)被引量：2
《红外与毫米波学报》2010年第3期167-171,179,共6页赵莉娟 庞起 杨世和 葛惟昆 王建农 
Supported by the Research Grant Council of Hong Kong(HKUST6069/02P,F-HK18/03T);the research fund of Donghua University
主要研究了高产率CdSe四脚状纳米颗粒的时间分辨光学性质.结果表明在氯仿溶液中和均匀涂布在绝缘硅片上的CdSe四脚状纳米颗粒室温下的光致发光(PL)衰减曲线均可以用一个双e指数的衰减函数来拟合,荧光寿命短的部分对应快衰减,而寿命长的...
关键词：四脚状纳米颗粒 PL衰减 局域载流子 表面缺陷 
低温分子束外延生长的GaMnAs反射光谱的低能振荡现象被引量：3
《物理学报》2008年第8期5277-5283,共7页罗向东 姬长建 王玉琦 王建农 
江苏省自然科学基金(批准号:BK2004403);南通市应用研究计划(批准号:K2007016);南通大学自然科学基金(批准号:07Z122)资助的课题~~
通过傅里叶变换红外光谱和光调制反射光谱技术测量了不同Mn含量的低温分子束外延生长在GaAs衬底上的GaMnAs样品的反射光谱.在低于Ga(Mn)As带边的红外反射光谱和光调制反射光谱上观测到低能振荡现象.通过分析振荡产生的原因并使用双层界...
关键词：GAMNAS 反射光谱 空穴浓度 折射率 
自旋光电流与电流诱导的电子自旋极化——半导体自旋电子学的新进展被引量：1
《物理》2007年第1期7-10,共4页杨春雷 王建农 葛惟锟 崔利杰 曾一平 
香港研究资助局基金(DAG04/05.SC21;DAG05/06.SC30)资助项目
文章通过自旋光电流与Kerr效应的实验,介绍在自旋-轨道耦合的体系中,如何通过自旋注入来驱动电子的运动产生电流,又如何反过来通过电子的运动或电流在系统中产生自旋激化.实验结果表明,自旋轨道耦合不但给我们提供了对自旋的操控手段,...
关键词：自旋光电流 电流诱导的自旋极化 自旋轨道耦合 
六方碳化硅中的深能级缺陷被引量：2
《物理》2004年第11期786-790,共5页凌志聪 陈旭东 冯汉源 C.D.Beling 龚敏四川大学物理学院 葛惟锟 王建农 G.Brauer W.Anwand W.Skorupa 
香港特区研究资助局资助;香港大学教育研究基金 (批准号 :70 85 /0 1P)资助项目
文章作者利用深能级瞬态谱 (DLTS) ,正电子湮灭谱 (PAS)和光致荧光谱 (PL)等谱分析技术研究了六方碳化硅中具有电活性的深能级缺陷 .这些深能级缺陷分别通过不同能量的电子辐照、中子辐照 ,或氦离子注入等产生 .经过研究和分析各种实验...
关键词：能级 可控 湮灭 氦离子 正电子 电子辐照 光谱 六方 研究结果 PL 
反胶束法合成Cd_(1-x)Mn_xS量子点及其发光性能研究被引量：4
《高等学校化学学报》2004年第9期1593-1596,共4页庞起 郭必成 王建农 杨世和 王玉琦 葛惟昆 龚孟濂 
香港研究基金会基金 (批准号 :H KUST60 69/0 2 P)资助 .
应用反胶束法制备了稀磁半导体 Cd1 - x Mnx S量子点 .量子点的大小可通过改变ωo 值 ( wo=[水 ]/ [表面活性剂 ])来控制 .高分辨透射电镜的分析结果表明 ,量子点呈单分散性 ,是几乎没有缺陷的单晶体 .量子点的大小约为 4.8～ 6nm,随 wo...
关键词：量子点 稀磁半导体 Cd1-xMnxS 反胶束 光致荧光 
GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs单量子阱的光学特性研究被引量：7
《物理学报》2003年第7期1761-1765,共5页罗向东 边历峰 徐仲英 罗海林 王玉琦 王建农 葛惟琨 
国家重点基础研究专项基金 (批准号:G0 0 1CB3095);国家自然科学基金 (批准号 :199740 45 );中国科学院纳米科学与技术项目资助的课题~~
用选择激发光荧光研究了分子束外延生长的GaAsSb GaAs单量子阱的光学性质 ,第一次同时观察到空间直接(Ⅰ类 )和间接 (Ⅱ类 )跃迁 .它们表现出不同的特性 :Ⅰ类跃迁具有局域化特性 ,其发光能量不随激发光能量而变 ;Ⅱ类发光的能量位置随...
关键词：GaAsl-xSbx/GaAs 单量子阱 光学特性 选择激发光荧光 砷化镓 砷镓锑化合物 分子束外延生长 
纳米结构制备技术被引量：1
《电子学报》2003年第2期301-302,共2页卢刚 陈治明 王建农 葛惟昆 
香港RGC的支持 (No HKUST60 86/ 97E);西安理工大学基金 (No 2 1 0 2 0 1 )
随着纳米加工技术的发展 ,纳米结构器件必将成为将来的集成电路的基础 .本文介绍了几种用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线、量子点和用电子束光刻、电子束蒸发以及剥离技术制备纳米金属栅的工艺方法 ;用这种工艺方法在P型SIMO...
关键词：纳米结构 单电子晶体管 库仑阻塞 单电子隧穿 
纳米结构制备及硅单电子晶体管的研究被引量：2
《半导体技术》2002年第11期70-73,共4页卢刚 陈治明 毛胜春 马剑平 王建农 葛惟昆 
香港RGC的支持项目 (HKUST6086/97E)
介绍了用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线和用电子束光刻、电子束蒸发以及剥离技术制备纳米金属栅的工艺方法;用这种工艺在p型SIMOX硅片上成功制造了一种单电子晶体管;在器件的电流电压特性上观测到明显的库仑阻塞效应和单电...
关键词：纳米结构 硅 单电子晶体管 库仑阻塞 单电子隧穿 
GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究
《固体电子学研究与进展》2002年第4期399-403,共5页李国华 方再利 丁琨 韩和相 曾美思 王建农 葛惟锟 潘钟 李联合 吴荣汉 
国家自然科学基金 (60 1760 0 8);香港 RGC基金 (HKUST612 5 / 98P);国家攀登项目 (G2 0 0 0 0 3 660 3 )的资助
在 1 5 K和 0～ 9GPa静压范围下测量了 Ga N0 .0 1 5As0 .985/ Ga As量子阱的光致发光谱。观察到了 Ga NAs阱和 Ga As垒的发光 ,发现 Ga NAs阱发光峰随压力的变化比 Ga As垒发光峰要小很多。当压力超过 2 .5 GPa后还观察到了与 Ga As中...
关键词：镓氮砷 压力 光致发光 量子阱 
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