库仑阻塞

作品数：62被引量：183H指数：7
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介观耦合电路库仑阻塞效应研究综述
《重庆理工大学学报（自然科学）》2015年第8期111-115,共5页张玉强 
公安海警学院科研发展基金资助项目(2013XYPYZ002);浙江省青年自然科学基金资助项目(q14a10002)
介绍了介观系统中库仑阻塞现象的基本特征和研究现状,分析了介观单元件和两元件耦合的电路中库仑阻塞效应的影响因素,最后展望了其应用及发展潜能,以期对全面了解介观耦合电路库仑阻塞效应提供参考。
关键词：介观电路 库仑阻塞 单元件耦合 两元件耦合 单电子器件 
库仑阻塞现象及其在纳米电子器件中的应用被引量：1
《大学物理》2013年第7期33-36,43,共5页柳福提 程晓洪 
四川省2011年"高等教育质量工程项目";宜宾学院自然科学基金项目(2012S12)资助
对单隧穿结和双隧穿结中的库仑阻塞现象进行了介绍,分析了其中电子隧穿的物理过程;然后探讨在单电子盒中如何利用库仑阻塞控制单电子隧穿的物理原理;最后介绍库仑阻塞效应在单电子晶体管中的具体应用及其发展前景.
关键词：隧穿结 库仑阻塞 单电子隧穿 单电子晶体管 
新型磁性隧道结材料及其隧穿磁电阻效应被引量：15
《中国材料进展》2013年第6期339-353,共15页韩秀峰 刘厚方 张佳 师大伟 刘东屏 丰家峰 魏红祥 王守国 詹文山 
典型的磁性隧道结是"三明治"结构,即由上下两个铁磁电极以及中间厚度为1 nm量级的绝缘势垒层构成。当外加磁场使两铁磁电极的磁矩由平行态向反平行态翻转时,隧穿电阻会发生低电阻态向高电阻态的转变。自从1995年发现室温隧穿磁电阻(TMR...
关键词：巨磁电阻效应 隧穿磁电阻效应 磁性隧道结 第一性原理计算 自旋转移力矩效应 库仑阻塞磁电阻 磁随机存储器 
纳米La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3块体的磁性与电输运特性研究被引量：2
《电子元件与材料》2013年第3期54-57,共4页常春 唐雁坤 
国家自然科学基金资助项目(No.10904013);江苏省自然科学基金资助项目(No.BK2009260);教育部留学回国人员科研启动基金第42批
采用溶胶–凝胶法制备了纳米La0.67Sr0.33MnO3样品,通过XRD、TEM及PPMS(物理性质测量系统)研究了样品的结构、磁性和电输运特性。结果表明,样品为单相菱方钙钛矿结构,平均晶粒大小为61 nm,在10 K到300 K间样品具有铁磁性和绝缘体导电行...
关键词：锰氧化物 纳米晶粒 电输运特性 界面效应 低场磁电阻效应 高场磁电阻效应 库仑阻塞 磁电阻 
介观耗散电感耦合电路的库仑阻塞效应
《技术物理教学》2013年第1期96-97,共2页邹丹 
本文研究了电荷不连续情况下电路的库仑阻塞。基于介观电路中电荷应是量子化这一事实，给出介观耗散电感耦合电路的库仑阻塞条件与阈值电压，并讨论了阈值电压与电路中元件的关系，得出闽值电压值与电路各回路中的电容、电感、电阻以及...
关键词：介观耗散电路电感偶合库仑阻塞阈值电压 
硅基单电子晶体管的可控制备被引量：2
《微纳电子技术》2013年第3期133-136,171,共5页吕利 孙建东 李欣幸 秦华 
国家自然科学基金资助项目(11074280);中国科学院科研装备研制项目(YZ201152)
采用电子束曝光、感应耦合等离子体刻蚀和热氧化等工艺技术,通过独特的图形反转设计,即在电子束曝光时采用负的曝光图形,并以电子束曝光的光刻胶作为掩膜进行干法刻蚀,通过后续的干法热氧化等工艺,在磷离子重掺杂的绝缘体上硅基底上成...
关键词：单电子晶体管(SET) 绝缘体上硅(SOI) 库仑阻塞 电子束曝光 
串联组装双C_(60)的电子结构和输运特性
《原子与分子物理学报》2011年第4期625-632,共8页胡庆平 冯艳全 任艳琴 陆振帮 
青年项目(2008Z26)
利用第一原理密度泛函理论计算组装C_(60)形成能和电子结构,用半经典隧穿理论研究了串联C_(60)的电子输运特性.结果显示:六边形对六边形双C_(60)比边对边双C_(60)稳定;库仑阻塞与系统的结构密切相关,并且只有阴极结比阳极结窄时,才会出...
关键词：分子物理学 电子输运 库仑阻塞 组装 
单岛单电子晶体管的电导分析
《物理学报》2011年第7期655-662,共8页隋兵才 方粮 张超 
国家高技术研究与发展863计划(批准号:2009AA01Z114);国防科技大学优秀研究生创新基金;湖南省研究生创新基金资助的课题~~
基于单电子经典理论,本文通过分析得出了单岛单电子晶体管的源漏电导模型,并对其进行了详细的分析讨论.单岛单电子晶体管的源漏电导随着源漏电压的变化发生周期性的振荡衰减,并随着源漏电压的增大逐渐收敛于本征电导值.源漏电导的这种...
关键词：单电子晶体管 电导 库仑振荡 库仑阻塞 
纳米级SET/CMOS混合器件的研究进展
《微纳电子技术》2010年第9期525-531,共7页冯朝文 蔡理 张立森 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2008AAJ225)
SET/CMOS作为一种单电子晶体管与纳米级CMOS混合结构的新兴纳米电子器件,不仅实现两者优势互补,而且其突出的功能特性极大影响着电路微型化发展的道路。从SET/CMOS的串联和并联两种基本结构出发,阐述了各自的工作原理与特性、进而介绍...
关键词：单电子晶体管 量子效应 库仑阻塞 负微分电阻 多值逻辑 
单电子输运器件及其研究进展被引量：5
《四川师范大学学报（自然科学版）》2009年第6期822-833,共12页李玲 高洁 
国家科技支撑计划(2006BAF06B09)资助项目;四川师范大学校级基金项目(07ZDY004)资助
单电子输运器件是指能在基本电荷层次上控制电子输运的器件.器件在周期时钟信号的作用下,每个周期有n个(通常是一个)电子从源端搬运到漏端,产生量子化电流.单电子输运器件在量子计量和量子信息处理领域存在广泛的应用前景.为此,人们在...
关键词：库仑阻塞 单电子隧穿 单电子输运器件 单电子泵 单电子旋转门 表面声波单电子输运器件 
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