库仑阻塞现象及其在纳米电子器件中的应用  

Coulomb blockade phenomean and its application in the electronic nanodevices

作　　者：柳福提[1,2] 程晓洪[1] 

机构地区：[1]宜宾学院物理与电子工程学院,四川宜宾644007 [2]宜宾学院计算物理四川省高校重点实验室,四川宜宾644007

出　　处：《大学物理》2013年第7期33-36,43,共5页College Physics

基　　金：四川省2011年"高等教育质量工程项目";宜宾学院自然科学基金项目(2012S12)资助

摘　　要：对单隧穿结和双隧穿结中的库仑阻塞现象进行了介绍,分析了其中电子隧穿的物理过程;然后探讨在单电子盒中如何利用库仑阻塞控制单电子隧穿的物理原理;最后介绍库仑阻塞效应在单电子晶体管中的具体应用及其发展前景.The coulomb blockade effect in the single tunnel junction and dual tunnel junction is introduced and the physical process of single electron tunneling is analyzed. We discuss the principle that how to control the single electron tunneling with coulomb blockade in single electron box. The specific application of coulomb blocking effect in the single electron transistor and its development prospect are also introduced.

关 键 词：隧穿结 库仑阻塞 单电子隧穿 单电子晶体管 

分 类 号：O469[理学—凝聚态物理]