刘厚方

作品数：3被引量：17H指数：2
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供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文主题：磁性隧道结磁敏传感器随机存储器磁性合金场效应管更多>>
发文领域：自动化与计算机技术理学文化科学一般工业技术更多>>
发文期刊：《中国科技成果》《中国材料进展》《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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高性能隧穿磁电阻磁敏传感器的材料、物理与芯片应用研究
《中国科技成果》2018年第22期73-74,78,共3页韩秀峰 刘厚方 魏红祥 万蔡华 马勤礼 于国强 丰家峰 余天 王文秀 王琰 
1 研究背景1924年,自旋电子学的发展始于1988年磁性纳米多层膜中巨磁电阻(GMR)效应的发现,GMR磁读头的出现使存储密度从AMR读头时期的~100 Mb/in2提高至~100 Gb/in2的量级;随后1995年日本及美国科学家利用AlOx势垒磁性隧道结将室温隧穿...
关键词：隧穿磁电阻 磁敏传感器 应用 磁性隧道结 材料 性能 芯片 物理 
CoFeB/AlO_x/Ta及AlO_x/CoFeB/Ta结构中垂直易磁化效应的研究被引量：2
《物理学报》2013年第13期470-475,共6页陈希 刘厚方 韩秀峰 姬扬 
国家自然科学基金(批准号:91021022)、国家自然科学基金重点项目(批准号:10934009)资助的课题;国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2009CB929301,2010CB934400)~~
本文详细研究了在不同氧化层和铁磁层厚度情况下,底层CoFeB/AlOx/Ta结构和顶层AlOx/CoFeB/Ta结构中的垂直磁各向异性.在底层CoFeB/AlOx/Ta结构中观察到了垂直磁化的磁滞回线,证明了其垂直易磁化效应的存在;而在顶层AlOx/CoFeB/Ta结构中...
关键词：垂直磁各向异性 磁隧道结 随机存储器 
新型磁性隧道结材料及其隧穿磁电阻效应被引量：15
《中国材料进展》2013年第6期339-353,共15页韩秀峰 刘厚方 张佳 师大伟 刘东屏 丰家峰 魏红祥 王守国 詹文山 
典型的磁性隧道结是"三明治"结构,即由上下两个铁磁电极以及中间厚度为1 nm量级的绝缘势垒层构成。当外加磁场使两铁磁电极的磁矩由平行态向反平行态翻转时,隧穿电阻会发生低电阻态向高电阻态的转变。自从1995年发现室温隧穿磁电阻(TMR...
关键词：巨磁电阻效应 隧穿磁电阻效应 磁性隧道结 第一性原理计算 自旋转移力矩效应 库仑阻塞磁电阻 磁随机存储器 
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