高性能隧穿磁电阻磁敏传感器的材料、物理与芯片应用研究  

作　　者：韩秀峰[1] 刘厚方[1] 魏红祥[1] 万蔡华[1] 马勤礼[1] 于国强[1] 丰家峰[1] 余天[1] 王文秀[1] 王琰[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所

出　　处：《中国科技成果》2018年第22期73-74,78,共3页China Science and Technology Achievements

摘　　要：1 研究背景1924年,自旋电子学的发展始于1988年磁性纳米多层膜中巨磁电阻(GMR)效应的发现,GMR磁读头的出现使存储密度从AMR读头时期的~100 Mb/in2提高至~100 Gb/in2的量级;随后1995年日本及美国科学家利用AlOx势垒磁性隧道结将室温隧穿磁电阻(TMR)效应提高至~20%,达到了可实用化程度,并在2004年进一步将MgO势垒磁性隧道结的室温TMR比值提高至TMR^200%左右,大大促进了TMR器件的广泛开发和应用.迄今为止,计算机TMR磁读头使得磁硬盘(HDD)磁记录密度达到了~1000 Gb/in2的量级;每年产值300~400亿美元的磁硬盘(HDD)市场已持续发展了20年.GMR和TMR磁读头本身就是两种有相对高灵敏度和低噪声磁敏传感器,并且已经在计算机和各种磁传感工业、民用、航空航天等领域大规模成功应用了20年.

关 键 词：隧穿磁电阻 磁敏传感器 应用 磁性隧道结 材料 性能 芯片 物理 

分 类 号：O482.5[理学—固体物理]