马勤礼

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供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文主题：磁敏传感器多层膜磁性隧道结磁性纳米磁性层更多>>
发文领域：自动化与计算机技术理学电子电信金属学及工艺更多>>
发文期刊：《中国科技成果》更多>>
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高性能隧穿磁电阻磁敏传感器的材料、物理与芯片应用研究
《中国科技成果》2018年第22期73-74,78,共3页韩秀峰 刘厚方 魏红祥 万蔡华 马勤礼 于国强 丰家峰 余天 王文秀 王琰 
1 研究背景1924年,自旋电子学的发展始于1988年磁性纳米多层膜中巨磁电阻(GMR)效应的发现,GMR磁读头的出现使存储密度从AMR读头时期的~100 Mb/in2提高至~100 Gb/in2的量级;随后1995年日本及美国科学家利用AlOx势垒磁性隧道结将室温隧穿...
关键词：隧穿磁电阻 磁敏传感器 应用 磁性隧道结 材料 性能 芯片 物理 
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