磁随机存储器

作品数：49被引量：61H指数：5
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面向高密度磁随机存储器的B2-CoGa(Pt)/L1_(0)-MnAl双层膜中高自旋轨道矩效率
《科学通报》2025年第7期920-928,共9页孙宏利 韩荣坤 魏大海 赵建华 
中国科学院战略性先导科技专项(XDB44010100);中国科学院稳定支持基础研究领域青年团队计划(YSBR-030)资助;杭州市北京航空航天大学国际创新研究院科研启动经费(2024KQ01)。
Mn基二元合金L1_(0)-MnAl具有垂直磁各向异性强、自旋极化率高和磁阻尼因子低等特点,是研制高密度、高性能和低功耗磁随机存储器(magnetic random access memory,MRAM)的重要材料体系,而B2-CoGa合金则同时为外延生长在主流半导体GaAs上...
关键词：垂直磁各向异性 自旋轨道矩 Mn基二元合金 磁矩翻转 分子束外延 
外延铁磁层磁矩方向依赖的垂直磁矩零场翻转特性
《山西大学学报（自然科学版）》2024年第6期1228-1237,共10页吴敏 王佳才 郭晓庆 薛海斌 
山西省应用基础研究计划项目(20210302123184,201601D011015);山西省高等学校优秀青年学术带头人支持计划(163220120-S)。
本文基于宏自旋模型,利用Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski方程在理论上研究了外延铁磁层的面内磁化方向m与电流方向J夹角φ_(m)对自由层垂直磁矩翻转的影响。研究结果表明:在铁磁层/重金属层/外延铁磁层的异质结中,对于自旋反常霍...
关键词：自旋轨道矩磁随机存储器 自旋极化流 垂直磁矩零场翻转 
重金属层/铁磁层界面反演对称性破缺诱导的垂直磁矩零场翻转
《山西大学学报（自然科学版）》2024年第5期1036-1047,共12页王佳才 郭晓庆 吴敏 薛海斌 
山西省应用基础研究计划项目(20210302123184,201601D011015);山西省高等学校优秀青年学术带头人支持计划(163220120-S)。
本文基于宏自旋模型,研究了重金属层/铁磁层,即L11相CuPt/CoPt界面反演对称性破缺诱导的面外类场矩对铁磁层垂直磁矩零场翻转特性的影响。研究结果表明:对于存在反演对称性破缺的L11相CuPt/CoPt界面,当沿着其重金属层的高对称轴通入一...
关键词：宏自旋模型 自旋轨道矩 磁随机存储器 
STT-MRAM存储器数据保持试验方法研究被引量：1
《电子与封装》2024年第7期80-84,共5页杨霄垒 申浩 
自旋转移力矩磁随机存储器(STT-MRAM)的基本存储单元结构为磁性隧道结(MTJ),该单元的热稳定性会随着温度的升高而变弱。MTJ这一特性导致传统激活能计算模型无法直接应用于STT-MRAM的高温数据保持特性测试,因此研究STT-MRAM的数据保持特...
关键词：自旋转移力矩磁随机存储器 磁性隧道结 数据保持 存储器测试 
SOT-MRAM读电路泄电结构优化
《中国集成电路》2024年第6期43-47,共5页王超 吴晨烨 叶海波 陆楠楠 李嘉威 孙杰杰 
自旋轨道矩磁性随机存储器(SOT-MRAM)作为第四代磁随机存储器广受关注。SOT-MRAM为三端结构,应用于2T2R结构时,不对称写入容易导致电荷积累,从而对读产生影响,甚至导致读取错误的发生。因此研究针对SOT-MRAM特点的读电路泄电结构,减小...
关键词：自旋轨道矩磁随机存储器 读电路 泄电 
一种用于STT-MRAM可缓解NBTI效应的灵敏放大器
《中国集成电路》2024年第5期62-66,71,共6页张丽 
自旋转移力矩磁随机存储器(STT-MRAM)是存内计算体系结构中非易失性存储器的热点器件。随着器件尺寸的减小,STT-MRAM电路性能会因为工艺电压温度的变化而退化,电路中的PMOSFET也因为负偏压温度不稳定性(NBTI)引发的退化越来越严重。为降...
关键词：自旋转移力矩磁随机存储器 磁隧道结 灵敏放大器 负偏压温度不稳定性 
1Kb自旋转移矩磁随机存储器电路设计被引量：1
《华中科技大学学报（自然科学版）》2024年第3期20-27,共8页谭玥 杜永乾 李桂芳 刘诗斌 
陕西省自然科学基础研究计划资助项目(2020JQ-206);深圳市科技创新委员会基金知识创新基础研究(自由探索)项目(JCYJ20180306171040865);国家自然科学基金资助项目(61873209,61504107,61704139)。
使用Verilog-A硬件描述语言对自旋转移矩磁随机存储器(STT-MRAM)的基本存储单元磁隧道结(MTJ)器件进行建模,采用Cadence软件对模型进行验证.基于已建立的MTJ模型设计STT-MRAM的读写电路.针对写入延迟过长的问题,对传统写入电路进行改进...
关键词：磁存储器 非易失性存储器 自旋转移矩 磁隧道结 可靠性读写电路 
磁随机存储器的电磁敏感度研究
《现代应用物理》2024年第1期158-165,共8页吴健煜 杜传报 吴清川 吴建飞 刘斌 宋少兵 
航天产学研合作基金资助项目(SASP2021-069)。
采用直接功率注入法(direct power injection,DPI)对一款新型磁随机存储器(magneto resistive random access memory,MRAM)芯片进行了抗干扰测试。在存储数字“0”和“1”的情况下,对MRAM的电源引脚、数据引脚、控制引脚进行了干扰注入...
关键词：电磁兼容 失效机理 直接功率注入 磁随机存储器 电磁敏感度 
执轨道转移力矩之笔,书写磁随机存储器新篇章
《科学通报》2024年第8期974-976,共3页潘振存 李栋 廖志敏 
国家自然科学基金(61825401,91964201);合肥国家实验室科技创新2030——“量子通信与量子计算机”重大项目(2021ZD0302403)。
磁随机存取存储器(magnetoresistive random access memory,MRAM)以其高能效和快速的数据存储能力在大数据时代备受关注^([1,2]).在MRAM单元中,数据通过两个铁磁层磁化状态的平行和反平行排列以低电阻态和高电阻态形式存储在磁隧道结(ma...
关键词：磁随机存储器 MRAM 磁化状态 数据存储能力 高电阻 轨道转移 低电阻 
基于全裕度SA的高读可靠性STT-MRAM两位量化器设计
《微电子学与计算机》2024年第2期108-114,共7页赖怡桐 唐慧琴 陈平平 王少昊 
国家重点研发计划(2018YFB0407603)。
受隧道磁阻比(Tunnel Magneto Resistance,TMR)下降、工艺偏差和热波动等因素影响,先进工艺节点(亚25 nm)下的自旋转移力矩磁随机存储器(Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory,STT-MRAM)的读取裕度降低,读写正...
关键词：自旋转移力矩磁随机存储器 灵敏放大器 信道模型 信道量化器 纠错编码 
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