云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- MRAM

MRAM: 作品数：173被引量：100H指数：5; 导出分析报告; 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>; 相关作者：罗军刘冬生张有光闵泰成元庆更多>>; 相关机构：浙江驰拓科技有限公司上海磁宇信息科技有限公司中电海康集团有限公司高通股份有限公司更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省高校自然科学研究项目更多>>

Achieving over 95% yield of sub-1 ppm BER with retention over 10 years at 125 ℃ and endurance of 1 × 10^(12) cycles towards automotive non-volatile RAM applications: 《Journal of Semiconductors》2025年第3期68-73,共6页Dinggui Zeng Fantao Meng Ruofei Chen Yang Gao Yihui Sun Junlu Gong Yongzhao Peng Qijun Guo Zhixiao Deng Weiming He Baoyu Xiong Jia Hou Jichao Li Wei Fang Qiang Dai Yaohua Wang Shikun He; supported by National Science and Technology Major Project (2020AAA0109003);the support from Hangzhou Innovation Team Program (TD2022018)。; Magnetic tunnel junction(MTJ) based spin transfer torque magnetic random access memory(STT-MRAM) has been gaining tremendous momentum in high performance microcontroller(MCU) applications. As e Flash-replacement type ...; 关键词：magnetic random access memory(MRAM) non-volatile RAM(nvRAM) magnetic tunnel junction(MTJ) sub-1 ppm array yield reliability

适用于STT-MRAM的写电压产生电路设计: 《电子与封装》2025年第1期29-34,共6页莫愁王艳芳李嘉威陆楠楠; 自旋转移力矩随机磁存储器(STT-MRAM)是一种新型的非易失性存储器,在各行各业均具有广泛的应用前景。STT-MRAM使用磁隧道结(MTJ)器件来存储信息,写电压通常是零温度系数的,但MTJ的临界翻转电压具有负温度特性,高温时写电压与临界翻转电...; 关键词：自旋转移力矩随机磁存储器磁隧道结宽温区温度自适应写电压产生电路

Back-side stress to ease p-MOSFET degradation on e-MRAM chips: 《Chinese Physics B》2024年第12期482-486,共5页Zhi-Meng Yu Xiao-Lei Yang Xiao-Nan Zhao Yan-Jie Li Shi-Kun He Ye-Wu Wang; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.51672246);the National Key Research and Development Program of China(Grant Nos.2017YFA0304302 and 2020AAA0109003);the Key Research and Development Program of Zhejiang Province,China(Grant No.2021C01002)。; The magnetoresistive random access memory process makes a great contribution to threshold voltage deterioration of metal-oxide-silicon field-effect transistors,especially on p-type devices.Herein,a method was proposed...; 关键词：back-side stress metal-oxide-silicon field-effect transistor(MOSFET) magnetoresistive random access memory(MRAM) threshold voltage

STT-MRAM存储器数据保持试验方法研究被引量：1: 《电子与封装》2024年第7期80-84,共5页杨霄垒申浩; 自旋转移力矩磁随机存储器(STT-MRAM)的基本存储单元结构为磁性隧道结(MTJ),该单元的热稳定性会随着温度的升高而变弱。MTJ这一特性导致传统激活能计算模型无法直接应用于STT-MRAM的高温数据保持特性测试,因此研究STT-MRAM的数据保持特...; 关键词：自旋转移力矩磁随机存储器磁性隧道结数据保持存储器测试

SOT-MRAM读电路泄电结构优化: 《中国集成电路》2024年第6期43-47,共5页王超吴晨烨叶海波陆楠楠李嘉威孙杰杰; 自旋轨道矩磁性随机存储器(SOT-MRAM)作为第四代磁随机存储器广受关注。SOT-MRAM为三端结构,应用于2T2R结构时,不对称写入容易导致电荷积累,从而对读产生影响,甚至导致读取错误的发生。因此研究针对SOT-MRAM特点的读电路泄电结构,减小...; 关键词：自旋轨道矩磁随机存储器读电路泄电

基于MRAM的新型存内计算范式: 《集成电路与嵌入式系统》2024年第6期29-40,共12页杨茜王远博王承智常亮; 国家自然基金项目(62104025、62104259);后摩智能联合项目支持(202205FKY00172)。; 存内计算(CIM,Computing in Memory)是一种为缓解“内存墙”和“功耗墙”而出现的新兴架构。因CPU处理器和存储器速度发展不均衡性,冯·诺依曼架构这类中央处理器与存储器分离的结构逐渐失去其优越性。存内计算提出以计算和存储相结合...; 关键词：MRAM 存内计算人工智能处理器计算范式内存墙

一种用于STT-MRAM可缓解NBTI效应的灵敏放大器: 《中国集成电路》2024年第5期62-66,71,共6页张丽; 自旋转移力矩磁随机存储器(STT-MRAM)是存内计算体系结构中非易失性存储器的热点器件。随着器件尺寸的减小,STT-MRAM电路性能会因为工艺电压温度的变化而退化,电路中的PMOSFET也因为负偏压温度不稳定性(NBTI)引发的退化越来越严重。为降...; 关键词：自旋转移力矩磁随机存储器磁隧道结灵敏放大器负偏压温度不稳定性

执轨道转移力矩之笔,书写磁随机存储器新篇章: 《科学通报》2024年第8期974-976,共3页潘振存李栋廖志敏; 国家自然科学基金(61825401,91964201);合肥国家实验室科技创新2030——“量子通信与量子计算机”重大项目(2021ZD0302403)。; 磁随机存取存储器(magnetoresistive random access memory,MRAM)以其高能效和快速的数据存储能力在大数据时代备受关注^([1,2]).在MRAM单元中,数据通过两个铁磁层磁化状态的平行和反平行排列以低电阻态和高电阻态形式存储在磁隧道结(ma...; 关键词：磁随机存储器 MRAM 磁化状态数据存储能力高电阻轨道转移低电阻

基于全裕度SA的高读可靠性STT-MRAM两位量化器设计: 《微电子学与计算机》2024年第2期108-114,共7页赖怡桐唐慧琴陈平平王少昊; 国家重点研发计划(2018YFB0407603)。; 受隧道磁阻比(Tunnel Magneto Resistance,TMR)下降、工艺偏差和热波动等因素影响,先进工艺节点(亚25 nm)下的自旋转移力矩磁随机存储器(Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory,STT-MRAM)的读取裕度降低,读写正...; 关键词：自旋转移力矩磁随机存储器灵敏放大器信道模型信道量化器纠错编码

面向SOT-MRAM的磁屏蔽仿真设计与优化: 《中国集成电路》2024年第1期70-75,共6页高宏叶海波王超孙杰杰; 磁随机存储器由于其高读写速度、接近无限次的读写次数和低功耗等优异特性受到越来越多的关注。磁随机存储器采用磁场方向来操作存储位,外部磁场很容易对磁结产生干扰导致读写错误的发生。因此采用磁屏蔽封装结构来减小外部磁场对存储...; 关键词：自旋轨道矩磁随机存储器磁屏蔽有限元

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