MRAM芯片耐磁场能力测试方案设计  

作　　者：孙科宇 

机构地区：[1]珠海极海半导体有限公司

出　　处：《消费电子》2025年第2期26-28,共3页Consumer Electronics Magazine

摘　　要：本研究介绍了MRAM存储器的概念和特点,引出耐磁场强度能力测试的需求。通过对磁场发生器、磁场强度测试仪器、芯片擦写设备选型和论证,最终完成了MRAM芯片耐磁场强度测试方案设计。

关 键 词：MRAM 芯片 磁场强度 测试 

分 类 号：TN406[电子电信—微电子学与固体电子学] TN407