葛惟琨

作品数：4被引量：7H指数：1
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供职机构：香港科技大学更多>>
发文主题：砷化镓GAAS分子束外延生长单量子阱锑化合物更多>>
发文领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《发光学报》《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs单量子阱的光学特性研究被引量：7
《物理学报》2003年第7期1761-1765,共5页罗向东 边历峰 徐仲英 罗海林 王玉琦 王建农 葛惟琨 
国家重点基础研究专项基金 (批准号:G0 0 1CB3095);国家自然科学基金 (批准号 :199740 45 );中国科学院纳米科学与技术项目资助的课题~~
用选择激发光荧光研究了分子束外延生长的GaAsSb GaAs单量子阱的光学性质 ,第一次同时观察到空间直接(Ⅰ类 )和间接 (Ⅱ类 )跃迁 .它们表现出不同的特性 :Ⅰ类跃迁具有局域化特性 ,其发光能量不随激发光能量而变 ;Ⅱ类发光的能量位置随...
关键词：GaAsl-xSbx/GaAs 单量子阱 光学特性 选择激发光荧光 砷化镓 砷镓锑化合物 分子束外延生长 
超细0.4nm直径单壁碳管的光学特性(英文)
《发光学报》2002年第4期335-340,共6页汤子康 李赵明 萧旭东 葛惟琨 
香港科技大学资助项目RGC grant HKUST 6152/99P
由于纳米碳管的优异机械特性及其丰富多采的光学和电学特性,它自1991年被发现以来一直受到科学家的青睐。纳米碳管研究已成为当今世界上发展最迅速,竞争最激烈的科学前沿领域之一。怎样才能把纳米碳管做得更细小,尺寸更均匀以及如何使...
关键词：碳纳米管 光学特性 偏振吸收 光致发光 超细单壁纳米碳管 
GaNAs/GaAs量子阱的激子局域化以及退局域化(英文)
《发光学报》2002年第2期109-113,共5页罗向东 徐仲英 葛惟琨 
国家自然科学基金资助项目 ( 199740 45 );中国科学院纳米科学技术项目基金资助项目~~
我们利用光荧光 (PL)以及时间分辨光谱 (TRPL)研究了用MBE生长在GaAs衬底上的GaNAs/GaAs量子阱的激子局域化以及退局域化。研究发现 ,在低温下用连续光 (CW)激发 ,由于GaNAs中势振荡所产生的局域激子发光是所测量到光谱的主要发光来源...
关键词：激子局域化 退局域化 GaNAs 量子阱 GAAS 砷化镓 半导体材料 光谱学 镓砷氮化合物 
GaAs/GaAlAs量子阱激子能量调谐的新方法
《Journal of Semiconductors》1999年第6期488-491,共4页徐仲英 王建农 王玉琪 葛惟琨 李晴 李树深 
国家自然科学基金
用分子束外延技术（ＭＢＥ）在ＧａＡｓ量子阱中嵌入ＩｎＡｓ亚单层，可以有效地改变量子阱的激子能量，从而达到波长调谐的目的．激子能量的调谐范围取决于量子阱宽度，并和ＩｎＡｓ层厚度有关．利用有效质量近似，计算给出了能量调谐...
关键词：砷化镓 砷铝镓化合物 量子阱 MBE 
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