GaAs/GaAlAs量子阱激子能量调谐的新方法  

作　　者：徐仲英[1,2] 王建农[1,2] 王玉琪[1,2] 葛惟琨[1,2] 李晴[1,2] 李树深[1,2] 

机构地区：[1]超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所 [2]香港科技大学物理系

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第6期488-491,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：用分子束外延技术（ＭＢＥ）在ＧａＡｓ量子阱中嵌入ＩｎＡｓ亚单层，可以有效地改变量子阱的激子能量，从而达到波长调谐的目的．激子能量的调谐范围取决于量子阱宽度，并和ＩｎＡｓ层厚度有关．利用有效质量近似，计算给出了能量调谐曲线，结果与实验符合较好．本文给出的结果提供了一种改变量子阱发光器件波长的新方法．

关 键 词：砷化镓 砷铝镓化合物 量子阱 MBE 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN304.26