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GAMNAS: 作品数：17被引量：17H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：理学电子电信更多>>; 相关作者：史同飞石瑞英龚敏蒋春萍邓加军更多>>; 相关机构：中国科学院四川大学香港科技大学南京师范大学更多>>; 相关期刊：《金属功能材料》《红外与毫米波学报》《Chinese Physics Letters》《Science Bulletin》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家攀登计划天津市自然科学基金更多>>

GaMnAs/AlAs/GaAs/AlAs/GaMnAs隧道结的磁致电阻效应: 《淮阴师范学院学报（自然科学版）》2022年第3期207-214,共8页鲁明亮马丽娟陶永春; 国家自然科学基金项目(1187040632)。; 利用k·p微扰和多能带量子传输边界相结合,推导出自旋空间中的量子坐标轴变换矩阵,以及空穴透过GaMnAs/AlAs/GaMnAs/AlAs/GaMnAs双势垒铁磁半导体(FS)隧道结的透射系数和磁致电阻(TMR)理论公式.计算了重空穴和轻空穴透射系数随入射能量...; 关键词：铁磁性半导体隧道结磁致电阻

GaMnAs/AlAs/GaMnAs构成隧道结的隧道磁致电阻效应被引量：1: 《淮阴师范学院学报（自然科学版）》2019年第1期19-23,40,共6页鲁明亮马丽娟陶永春; 国家自然科学基金资助项目(10947005); 铁磁半导体构成隧道结的研究是凝聚态领域中一个重要的研究方向.k·p模型在处理半导体异质结空穴传输问题时非常有效,利用k·p模型研究GaMnAs/AlAs/GaMnAs隧道结的磁致电阻效应,通过将k·p微扰与多能带量子传输边界相结合的新方法,给出...; 关键词：铁磁性半导体隧道结 TMR

日本东京大学等发现GaMnAs出现强磁性的机理: 《现代材料动态》2014年第10期10-10,共1页杨晓婵; 日本东京大学物性研究所原田慈久副教授和大学院工学研究科田中雅明教授等人的研究小组，与日本原子能研究开发机构、高辉度光科学研究中心、广岛大学共同研究，发现了同时具有电性和磁性的稀磁半导体GaMnAs出现强磁性的机理。该类物质...; 关键词：日本东京大学强磁性机理研究开发机构自旋电子器件稀磁半导体半导体材料科学研究

Magnetic coupling in ferromagnetic semiconductor GaMnAs/AlGaMnAs bilayer devices: 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》2014年第8期1471-1475,共5页CAO YuFei LI YanYong LI YuanYuan WEI GuanNan JI Yang WANG KaiYou; supported by the National Basic Research Program of China (Grant Nos. 2011CB922200 and 2009CB929301);the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 11174272 and 61225021); EPSRC-NSFC joint (Grant No. 10911130232/A0402);WANG KaiYou also acknowledges the support of Chinese Academy of Sciences 100 Talent Program; We carefully investigated the ferromagnetic coupling in the as-grown and annealed ferromagnetic semiconductor GaMnAs/A1GaMnAs bilayer devices. We observed that the magnetic interaction between the two layers strongly ...; 关键词：magnetic coupling MAGNETORESISTANCE bilayer structure ANNEALING anisotropic field

Effect of p-d exchange with an itinerant carrier in a GaMnAs quantum dot: 《Journal of Semiconductors》2013年第7期1-6,共6页D.Lalitha A.John Peter; Hydrogenic acceptor binding energy as a function of dot radius in a GaMnAs/Ga_（0.6）Al_（0.4）As quantum dot is calculated including the exchange interaction of Mn alloy content with an itinerant carrier.Calculations...; 关键词：quantum dot ACCEPTOR diluted magnetic semiconductors

生长态和退火态GaMnAs厚膜的磁性和传输特性: 《金属功能材料》2012年第3期63-63,共1页; 德国物理一技术联合学院A．BenHamida等人采用分子束外延法制作GaMnAs层。在190℃分别退火18h和90h。研究表明，外延法GaMnAs100nm膜经退火后饱和磁化和居里温度都得到提高。; 关键词：退火态传输特性厚膜分子束外延法磁性生长居里温度饱和磁化

GaMnAs薄膜洛伦兹振子模型参数提取以及材料缺陷分析: 《光散射学报》2011年第3期238-243,共6页蔡娟露程兴华钟玉杰何志刚史同飞龚敏石瑞英; 国家自然科学基金(60676052); 利用改进的遗传算法从GaMnAs外延薄膜的远红外反射光谱中提取了GaMnAs薄膜的洛伦兹振子模型参数,发现GaAs掺入Mn后,ωTO向低频方向移动,ωLO基本保持不变,ε∞和εs均减小,γ有很大变化。并通过XRD以及近红外谱发现Mn的掺入会引入缺陷,...; 关键词：GAMNAS 遗传算法洛伦兹振子模型缺陷 XRD 红外光谱

Preparation and Properties of Diluted Magnetic Semiconductors GaMnAs by Low-Temperature Molecular Epitaxy: 《Chinese Physics Letters》2011年第9期213-216,共4页JI Chang-Jian ZHANG Cheng-Qiang ZHAO Gang WANG Wen-Jing SUN Gang YUAN Hui-Min HAN Qi-Feng; by the National Natural Science Foundation of China under Grant No 61006010;Shandong-Provincial Higher Educational Science and Technology Program under Grant No J11LA58.; GaMnAs films are prepared by low-temperature molecular beam epitaxy.Based on the experimental results,the influence of growth and annealing conditions on the physical properties and defect configurations is discussed....; 关键词：GAMNAS ANNEALING REMOVE

超薄GaMnAs外延膜空穴浓度和应变弛豫研究: 《物理学报》2011年第2期576-581,共6页苏平龚敏马瑶高博石瑞英陈昶史同飞曹先存孟祥豪罗代升; 国家自然科学基金(批准号:60676052)资助的课题~~; 稀磁GaMnAs外延膜中的Mn含量会影响外延膜的空穴浓度和应变弛豫.Raman散射研究表明,Mn含量为3%的超薄GaMnAs样品的空穴浓度大于2%样品,4%样品的空穴浓度小于3%样品.应变弛豫理论和高分辨X射线衍射研究表明,Mn含量为2%和3%的超薄GaMnAs...; 关键词：空穴浓度应变弛豫倒易空间图准共格

稀磁半导体GaMnAs的物理性质研究被引量：2: 《山东教育学院学报》2010年第6期21-24,共4页姬长建张成强冯素华王文静; 山东省教育厅科技计划项目(J08LI62); 利用低温分子束外延技术制备高质量的GaMnAs薄膜,通过XRD对样品进行分析,从实验和理论上分析生长条件、退火条件对薄膜缺陷及薄膜性能的影响.尤其是分析系统的研究间隙位Mn原子与As反位原子缺陷的变化,从而深入理解掺杂原子的周围结构...; 关键词：分子束外延 X射线衍射居里温度

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