史同飞

作品数：11被引量：15H指数：2
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供职机构：中国科学院固体物理研究所更多>>
发文主题：稀磁半导体GAMNAS稀磁半导体薄膜XAFSMN更多>>
发文领域：理学电气工程电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《半导体光电》《中国科学技术大学学报》《物理学报》《光散射学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目安徽省自然科学基金更多>>
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电荷耦合效应对高耐压沟槽栅极超势垒整流器击穿电压的影响
《物理学报》2021年第6期229-236,共8页徐大林 王玉琦 李新化 史同飞 
国家自然科学基金(批准号:51472247,51671182);国家自然科学基金联合基金(批准号:U1632123)资助的课题.
通过沟槽结构和可调节的电子势垒,沟槽栅极超势垒整流器可以更为有效地实现通态压降和反向漏电流之间的良好折衷.在高压应用时,电荷耦合效应对于提高该器件的反向承压能力起到了关键作用.本文通过理论模型与器件模拟结果,分析了沟槽深...
关键词：沟槽栅极超势垒整流器 电荷耦合效应 击穿电压 阶梯栅氧 
热氧化方法制备直径可控的有序硅纳米线阵列
《半导体光电》2017年第4期521-525,540,共6页周步康 李新化 曹华翔 史同飞 陈涛 郑建强 王玉琦 
国家自然科学基金项目(51472247;51671182);国家自然科学基金联合基金项目(U1632123)
采用金属辅助化学刻蚀方法结合纳米球模板技术制备出了有序硅纳米线阵列。硅纳米线阵列经过高温热氧化形成一定厚度的氧化层,再使用稀释的HF溶液去除表面氧化层得到可控直径/周期比、低孔隙密度的有序纳米线阵列。主要研究了氧化温度、...
关键词：金属辅助化学刻蚀 热氧化 低直径/周期比 硅纳米线 扩展Deal-Grove模型 
基于Au辅助化学刻蚀法实现低成本制备硅纳米线阵列被引量：1
《半导体光电》2015年第4期597-601,649,共6页段花花 李新化 周步康 史同飞 李宁 陈健 王玉琦 
国家自然科学基金项目(11104271;1117904;51472247);安徽省自然科学基金项目(1308085MA10)
Au在Si表面的成膜质量对金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线至关重要。以Ti、Cr作为浸润层,可显著改善Au在硅表面的成岛趋势,获得优质的Au膜并大幅度减少Au的使用量。同时,针对加入Ti、Cr后对Au辅助化学刻蚀影响的研究表明,Cr在刻蚀液中是...
关键词：Au膜 金属辅助化学刻蚀 SI纳米线 浸润层 低成本 
NiO透明导电薄膜的制备及在聚合物太阳能电池中的应用被引量：6
《物理学报》2012年第2期365-370,共6页肖正国 曾雪松 郭浩民 赵志飞 史同飞 王玉琦 
中科院知识创新工程青年人才领域前沿项目基金(批准号:084N541121)资助的课题~~
采用磁控溅射法制备出透明导电氧化物NiO薄膜.椭偏(SE)测试表明NiO薄膜在可见光区域透光性良好,通过调节生长、退火温度可调控NiO的折射率.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)手段研究表明,通过退火、改变衬底温度等,可有效改变N...
关键词：NiO薄膜 阳极阻挡层 聚合物太阳能电池 
GaMnAs薄膜洛伦兹振子模型参数提取以及材料缺陷分析
《光散射学报》2011年第3期238-243,共6页蔡娟露 程兴华 钟玉杰 何志刚 史同飞 龚敏 石瑞英 
国家自然科学基金(60676052)
利用改进的遗传算法从GaMnAs外延薄膜的远红外反射光谱中提取了GaMnAs薄膜的洛伦兹振子模型参数,发现GaAs掺入Mn后,ωTO向低频方向移动,ωLO基本保持不变,ε∞和εs均减小,γ有很大变化。并通过XRD以及近红外谱发现Mn的掺入会引入缺陷,...
关键词：GAMNAS 遗传算法 洛伦兹振子模型 缺陷 XRD 红外光谱 
超薄GaMnAs外延膜空穴浓度和应变弛豫研究
《物理学报》2011年第2期576-581,共6页苏平 龚敏 马瑶 高博 石瑞英 陈昶 史同飞 曹先存 孟祥豪 罗代升 
国家自然科学基金(批准号:60676052)资助的课题~~
稀磁GaMnAs外延膜中的Mn含量会影响外延膜的空穴浓度和应变弛豫.Raman散射研究表明,Mn含量为3%的超薄GaMnAs样品的空穴浓度大于2%样品,4%样品的空穴浓度小于3%样品.应变弛豫理论和高分辨X射线衍射研究表明,Mn含量为2%和3%的超薄GaMnAs...
关键词：空穴浓度 应变弛豫 倒易空间图 准共格 
X射线吸收谱对Ga_(0.946)Mn_(0.054)As薄膜中缺陷的研究
《物理学报》2011年第1期429-434,共6页乔媛媛 肖正国 曹先存 郭浩民 史同飞 王玉琦 
中科院知识创新工程青年人才领域前沿项目基金(084N541121)资助的课题~~
采用低温分子束外延法(LT-MBE)制备出Ga0.946Mn0.054As稀磁半导体(DMS)薄膜.通过X射线吸收谱(XAS)研究影响Ga0.946Mn0.054As薄膜性质的主要缺陷Mn间隙原子(MnI)和As反位原子(AsGa).实验结果表明,在较低生长温度(TS=200℃)下Ga0.946Mn0.0...
关键词：Ga0.946Mn0.054As稀磁半导体 X射线吸收谱 As反位缺陷 Mn间隙原子 
杂质与缺陷对GaMnAs光学特性影响的研究
《光散射学报》2009年第3期241-245,共5页钟玉杰 程顺昌 苏平 龚敏 石瑞英 曹先存 史同飞 
国家自然科学基金(60676032;60676052)
提高GaMnAs材料中Mn的含量可以提高其居里温度,但随之而来也会引入很多缺陷。为了研究高含量Mn引入的缺陷对稀磁半导体材料的影响,本文对低温分子束外延技术(LT-MBE)生长的GaMnAs外延层进行了光电导以及红外等光谱的分析。通过对样品的...
关键词：GaMnAs缺陷 红外光谱 光电导 
Zn_(1-x)Co_xO稀磁半导体薄膜的结构及其磁性研究被引量：5
《物理学报》2008年第7期4328-4333,共6页吴文清 史同飞 张国斌 符义兵 潘志云 孙治湖 闫文盛 徐彭寿 韦世强 
国家自然科学基金(批准号:10575099;10635060;10605024)资助的课题~~
利用X射线吸收精细结构、X射线衍射和磁性测量等技术研究脉冲激光气相沉积法制备的Zn1-xCoxO(x=0.01,0.02)稀磁半导体薄膜的结构和磁性.磁性测量结果表明Zn1-xCoxO样品都具有室温铁磁性.X射线衍射结果显示其薄膜样品具有结晶良好的纤锌...
关键词：Zn1-xCoxO稀磁半导体 X射线吸收精细结构谱 脉冲激光气相沉积法 
Mn_xGe_(1-x)稀磁半导体薄膜的结构研究被引量：2
《物理学报》2007年第9期5471-5475,共5页孙玉 孙治湖 朱三元 史同飞 叶剑 潘志云 刘文汉 韦世强 
国家自然科学基金(批准号:10404023;10635060)资助的课题.~~
利用X射线衍射(XRD)和X射线吸收精细结构(XAFS)方法研究了磁控共溅射方法制备的MnxGe1-x薄膜样品的结构随掺杂磁性原子Mn含量的变化规律.XRD结果表明,在Mn的含量较低(7.0%)的Mn0.07Ge0.93样品中,只能观察到对应于多晶Ge的XRD衍射峰,而...
关键词：磁控溅射 XRD XAFS MnxGe1-x稀磁半导体薄膜 
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