日本东京大学等发现GaMnAs出现强磁性的机理  

作　　者：杨晓婵 

出　　处：《现代材料动态》2014年第10期10-10,共1页Information of Advanced Materials

摘　　要：日本东京大学物性研究所原田慈久副教授和大学院工学研究科田中雅明教授等人的研究小组，与日本原子能研究开发机构、高辉度光科学研究中心、广岛大学共同研究，发现了同时具有电性和磁性的稀磁半导体GaMnAs出现强磁性的机理。该类物质有望用于除电子电荷外还可利用电子自旋的自旋电子器件。本次研究成果对新型稀磁半导体材料的设计起到指导作用。

关 键 词：日本东京大学 强磁性 机理 研究开发机构 自旋电子器件 稀磁半导体 半导体材料 科学研究 

分 类 号：TN6[电子电信—电路与系统]