生长态和退火态GaMnAs厚膜的磁性和传输特性  

出　　处：《金属功能材料》2012年第3期63-63,共1页Metallic Functional Materials

摘　　要：德国物理一技术联合学院A．BenHamida等人采用分子束外延法制作GaMnAs层。在190℃分别退火18h和90h。研究表明，外延法GaMnAs100nm膜经退火后饱和磁化和居里温度都得到提高。

关 键 词：退火态 传输特性 厚膜 分子束外延法 磁性 生长 居里温度 饱和磁化 

分 类 号：TG146.21[一般工业技术—材料科学与工程]