磁致电阻

作品数：45被引量：28H指数：3
导出分析报告
相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
相关作者：孟秋敏苏宁宁欧阳峥嵘石磊李洪强更多>>
相关机构：国际商业机器公司日立环球储存科技荷兰有限公司因芬尼昂技术股份公司中国科学院更多>>
相关期刊：《物理通报》《低温物理学报》《仪器仪表学报》《稀土信息》更多>>
相关基金：国家自然科学基金合肥物质科学研究院知识创新工程领域前沿项目国家重点基础研究发展计划国家攀登计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
基于旋转磁场作用的磁流变脂磁致电阻特性研究
《材料导报》2024年第14期18-22,共5页居本祥 付本元 吕冰 
重庆市自然科学基金面上项目(cstc2019jcyj-msxmX0005,cstc2020jcyj-msxmX0425);国家自然科学基金(51905062,61901068);中国博士后科学基金项目(2021MD703913)。
磁流变脂是一种兼具快速磁响应特性和弱流动性的新型磁敏材料,在传感及阻尼减振等领域有着潜在应用价值。本工作利用羰基铁粉作为软磁填充颗粒与脂类基体混合制备了磁流变脂样品,依托所设计的电阻试验单元,并通过自建的旋转磁场试验表...
关键词：磁流变脂 旋转磁场 羰基铁粉 磁致电阻 
GaMnAs/AlAs/GaAs/AlAs/GaMnAs隧道结的磁致电阻效应
《淮阴师范学院学报（自然科学版）》2022年第3期207-214,共8页鲁明亮 马丽娟 陶永春 
国家自然科学基金项目(1187040632)。
利用k·p微扰和多能带量子传输边界相结合,推导出自旋空间中的量子坐标轴变换矩阵,以及空穴透过GaMnAs/AlAs/GaMnAs/AlAs/GaMnAs双势垒铁磁半导体(FS)隧道结的透射系数和磁致电阻(TMR)理论公式.计算了重空穴和轻空穴透射系数随入射能量...
关键词：铁磁性半导体 隧道结 磁致电阻 
PdTe2纳米薄膜的电和热输运特性研究
《工程热物理学报》2020年第12期3041-3045,共5页缪婷婷 向梦贤 李大炜 
国家自然科学基金资助项目(No.51776224)。
作为第二类狄拉克半金属,PdTe2由于具有低温超导电性和特殊的能带结构,研究者们对该材料的探索集中在超导和拓扑特性,对室温下PdTe2纳米薄膜的电和热输运性质的研究尚未报道。本文采用直流通电加热法测量了厚度为136 nm的PdTe2薄膜在30...
关键词：PdTe2纳米薄膜 电导率 热导率 磁致电阻 
极化率和磁化率的关系式
《物理通报》2016年第8期125-126,共2页王洪吉 
在经典电磁理论中，有一些是关于介质极化和磁化的方程．按照常理，利用这些方程以及一些电磁场的物质方程和麦克斯韦方程组，原则上可以解决所有宏观介质中的电磁现象．但是，事实并非如此，有许多介质中的宏观电磁现象不能得到很好的...
关键词：磁化率 麦克斯韦方程组 极化率 经典电磁理论 介质极化 电磁现象 磁致电阻 电磁规律 
渗碳陶瓷低温温度传感器磁致电阻效应研究被引量：1
《低温与超导》2016年第4期31-33,共3页孟秋敏 
中国科学院低温工程学重点实验室开放基金(CRY0201420)
通过对渗碳陶瓷低温温度传感器在0—16T磁场环境、2—320K温区的磁致电阻效应研究,以及与Cernox磁效应的对比分析,得到以下实验结果:在2—10K,渗碳陶瓷磁效应变化比较明显,随温度的降低而升高,随场强近似正系数线性变化,且温度越低,变...
关键词：渗碳陶瓷 强磁场 磁致电阻效应 
35 T强磁场下Cernox和氧化钌温度传感器的磁致电阻效应研究被引量：1
《低温工程》2016年第1期11-13,46,共4页孟秋敏 
中国科学院低温工程学重点实验室开放基金(CRY0201420)项目资助
以Cernox(CX-1050、CX-1030)和氧化钌(RX-202、RX-102)温度传感器为研究对象,研究了其在0—35 T场强、0.75—69.5 K温区下的磁致电阻效应。实验结果表明:CX-1050和RX-202的磁效应和在35 T下的测量误差都随温度的变化出现正负磁效应和正...
关键词：Cernox 氧化钌 强磁场 磁致电阻效应 
正磁阻体系研究进展被引量：1
《凝聚态物理学进展》2015年第2期34-54,共21页郜婵 张建武 
国家自然基金(Grant Nos. 11174265);.
近十几年来,磁致电阻效应及其机理的研究一直是凝聚态物理领域的研究热点之一。随着具有磁阻效应的各种新材料及新结构体系的合成、制备与发现,磁阻体系及其磁阻机制的复杂性也不断被展现出来。在已发现的各类磁阻体系及磁阻效应中,正...
关键词：磁致电阻 正磁阻效应 线性磁阻 超磁阻效应 金属颗粒膜 稀磁半导体 拓扑绝缘体 半金属 
强磁场下氧化钌温度传感器的磁致电阻效应研究
《低温与超导》2013年第11期36-38,共3页孟秋敏 
合肥物质科学研究院知识创新工程领域前沿项目(Y06JS11121BQ)资助
以氧化钌温度传感器（Rx-202A）为研究对象,研究了其在0～16T磁场下、2～40K温区内的磁致电阻效应.结果表明：RX-202A的磁效应随场强的升高而升高,随温度呈波动变化,在低温区先由正效应转变为负效应,后又随温度的升高而逐渐降低,并逐渐...
关键词：氧化钌温度传感器 强磁场 变温 磁致电阻效应 
强磁场下锗电阻温度传感器的磁致电阻效应研究被引量：2
《低温与超导》2013年第9期15-16,21,共3页孟秋敏 欧阳峥嵘 石磊 李洪强 
合肥物质科学研究院知识创新工程领域前沿项目(Y06JS11121BQ)资助
以锗温度传感器GR-1400-AA为研究对象,研究了其在0～16 T磁场下、2～100K温区内的磁致电阻效应。结果表明:在2～20K温区,GR-1400-AA磁效应随温度的升高急剧降低,且场强越高磁效应的变化率越大;在20～100K温区,磁效应随温度的升高趋于平...
关键词：锗温度传感器 强磁场 变温 磁致电阻效应 
不同缓冲层对Ni_(81)Fe_(19)薄膜性能影响和微结构分析
《北京科技大学学报》2012年第7期813-816,共4页李明华 李伟 丁雷 刘洋 滕蛟 
国家自然基金资助项目(50831002;50971021;50101012);中央高校基本科研业务费专项(FRF--SD--12--011A)
采用磁控溅射方法制备分别以Ta和NiFeCr为缓冲层的Ta(NiFeCr)/NiFe/Ta薄膜材料.对于相同厚度的NiFe薄膜,与传统材料Ta相比,用NiFeCr作缓冲层薄膜的各向异性磁电阻有显著的提高.X射线衍射结果表明,与Ta缓冲层相比NiFeCr缓冲层可以诱导更...
关键词：坡莫合金 薄膜 缓冲层 磁致电阻 微观结构 磁控溅射 
全选清除导出
共5页<12345>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部