云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 朱剑豪

朱剑豪: 作品数：1被引量：1H指数：1; 导出分析报告; 供职机构：香港大学更多>>; 发文主题：ANDERSON模型PIII更多>>; 发文领域：理学更多>>; 发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>; 所获基金：香港特区政府研究资助局资助项目更多>>

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ZnO/p-Si异质结构的电学输运特性被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2007年第z1期149-152,共4页顾启琳陈旭东凌志聪梅永丰傅劲裕萧季驹朱剑豪; 香港特别行政区研究资助局资助项目(批准号:7032104); 采用等离子体浸没离子注入沉积方法,在p型Si衬底上制备了具有整流特性的、非故意掺杂的以及掺氮的ZnO/p-Si异质结.非故意掺杂的ZnO薄膜为n型(电子浓度为1019cm-3数量级),掺氮的ZnO薄膜为高阻(电阻率为105Ω·cm数量级).非故意掺杂的ZnO/...; 关键词：PIII&D ZnO/p-Si异质结 ANDERSON模型空间电荷限制模型电流输运