纳米硅薄膜的电致发光和光致发光探索  

作　　者：何宇亮[1] 余明斌[1] 万明芳[1] 李雪梅[1] 徐士杰[2] 刘湘娜[3] 于晓梅[1] 郑厚植[2] 罗晋生[4] 魏希文[5] 戎霭伦[1] 

机构地区：[1]北京航空航天大学非晶态物理研究室,北京100083 [2]中国科学院半导体研究所超品格国家实验室,北京100083 [3]南京大学固体微结构物理实验室,南京210008 [4]西安交通大学电子工程系,西安710049 [5]大连理工大学物理系,大连116024

出　　处：《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1995年第3期359-361,共3页

基　　金：国家自然科学基金;中国科学院半导体所超晶格与微结构国家重点实验室课题

摘　　要：自从多孔硅的光致发光被报道以来,引起人们的极大关注,这方面的研究得到很大的发展。关于其发光机理,文献[2～4]分别作了解释,目前还存在一定分歧,但人们已经普遍认为量子限制效应在起重要作用,同时表面态也有一定作用。另一方面,虽然多孔硅有很强的发光,但其发光稳定性却一直不能得到很好解决,而且多孔硅的制备为湿法工艺,与传统的硅平面工艺相差甚远,这给多孔硅的进一步发展和应用带来很大困难.Veprek等报道了对非晶硅进行高温下氧气氛中后退火处理,使非晶硅薄膜中形成小颗粒晶粒。

关 键 词：纳米硅 电致发光 光致发光 薄膜 

分 类 号：O613.72[理学—无机化学] O484.41[理学—化学]