万明芳

作品数:13被引量:22H指数:2
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供职机构:中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文主题:纳米硅纳米硅薄膜分子束外延砷化镓表面形貌更多>>
发文领域:电子电信理学机械工程更多>>
发文期刊:《Journal of Semiconductors》《量子电子学报》《红外与毫米波学报》《大连理工大学学报》更多>>
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量子点的湿法腐蚀制备及尺寸分布研究
《红外与毫米波学报》1998年第6期401-404,共4页刘兴权 万明芳 陈效双 张波 陆卫 沈学础 
国家自然科学基金
介绍了用可见光光刻后用湿法腐蚀制备GaAs/AlGaAs量子点的方法,并用小光点光荧光的方法检测了所制备量子点的均匀性,从理论上给出量子点的尺寸分布,并结合多量子阱阱宽的涨落,分析了荧光峰的线型和展宽机制.
关键词:量子点 湿法腐蚀 荧光光谱 砷化镓 尺寸分布 
量子台阶上准束缚电子能态光学性质研究
《红外与毫米波学报》1998年第5期333-337,共5页陆卫 穆耀明 刘兴权 陈效双 万明芳 李宁 窦红飞 沈学础 
国家自然科学基金;上海启明星计划资助
给出量子台阶上准束缚电子能态间的跃迁特性,通过理论计算模型中等效电子波函数相干长度对量子台阶光学特性的影响,提出一种对电子波函数相干长度行为的实验研究途径.
关键词:量子台阶 电子能态 电子波函数 光学特性 
一维薛定谔方程的传递矩阵法求解被引量:1
《红外与毫米波学报》1998年第3期231-235,共5页陆卫 穆耀明 万明芳 陈效双 刘兴权 窦红飞 李宁 沈学础 
国家自然科学杰出青年人才基金;国家自然基金
报道应用传递矩阵方法直接在数值上确定任意一维势结构中的束缚态与准束缚态.通过对2×2矩阵乘积过程中的数据分解处理,使该方法可直接应用于实际器件尺度的异质结构系统。
关键词:传递矩阵 一维势 薛定谔方程 电子能态 半导体 
128×1元GaAs/AlGaAs多量子阱扫描型红外焦平面的红外成像被引量:10
《红外与毫米波学报》1998年第1期76-79,共4页万明芳 欧海疆 陆卫 刘兴权 陈效双 李宁 李娜 沈学础 王文新 黄绮 周钧铭 
中国科学院军工预研基金
研制成功了128×1元GaAs/AlGaAs多量子阱扫描型红外焦平面(FPAs),器件的响应率达到RP=2.02×106V/W,截止波长为λc=8.6μm.根据常规的黑体探测率定义,得到器件的黑体探测率为Db*=2....
关键词:多量子阱 扫描型 红外焦平面 红外探测器 成像 
光和热诱导载流子的光电流谱比较研究
《量子电子学报》1998年第1期10-14,共5页万明芳 陈效双 窦红飞 陆卫 沈学础 周均铭 
测量了包含有超薄层AlAs/GaAs超晶格的GaAs/AlGaAs多量子阱结构材料的光电流谱,比较研究了不同能级上的光和热诱导载流子在外电场下渡越超薄层AlAs势垒的隧穿时间,得到了光电导对外电场的依赖关系。
关键词:光电流谱 隧穿时间 多量子阱结构 材料 
阳极氧化对GaAs/AlGaAs量子线荧光的影响
《Journal of Semiconductors》1998年第1期72-75,共4页陈效双 万明芳 刘兴权 窦红飞 陆卫 沈学础 
本文报道脉冲阳极氧化对低压金属有机化学气相沉积自组织生长的GaAs/AlGaAs量子线荧光的影响.通过比较阳极氧化和无阳极氧化且均快速退火样品的荧光谱获得互扩散减少直接生长样品存在的缺陷和无序等,从而减小量子线非辐射...
关键词:砷化镓 镓铝砷化 阳极氧化 量子线 荧光 
光调制反射光谱中的高斯线形被引量:1
《量子电子学报》1997年第5期396-399,共4页陆卫 刘兴权 陈效双 穆耀明 万明芳 沈学础 
本文报出了一种用于拟会计算光调制反射光谱的高斯约型表达式.通过对具体的St-8$杂的光谱拟会计算并与常用的洛仑兹线形的计算进行的比较,显示了在非均匀展宽起重要作用情况下采用高斯线型对实际光调制反射光谱分析是十分必要的.
关键词:调制光谱 高斯线型 洛仑兹线型 光谱分析 
GaAs(100)同质外延表面相变的动态过程研究被引量:2
《Journal of Semiconductors》1997年第6期408-411,共4页刘兴权 陆卫 马朝晖 陈效双 乔怡敏 万明芳 沈学础 
本文叙述了用CCD系统对MBE生长中RHEED图案强度变化进行实时监测,通过(00)级条纹的RHEED强度分析,直接给出了不同生长条件下表面相变的动态过程,得到了从C(4×4)到α(2×4)的连续相变过程,进一步给出了不同条件下的表面化学...
关键词:砷化镓 分子束外延 同质外延 表面相变 
超薄层AlGaAs样品的光调制反射谱研究
《物理学报》1997年第8期1613-1617,共5页刘兴权 陆卫 穆耀明 乔怡敏 陈效双 万明芳 查访星 严立平 沈学础 
用调制光谱的方法对分子束外延(MBE)生长在GaAs(100)衬底上的一组超薄层本征型AlxGa1-xAs层进行了原位的研究.对厚度在35nm以下的一组样品观察到了若干个跃迁峰,而对厚度在100nm的样品只观察到了一...
关键词:量子阱 铝镓砷 MBE 光调制谱 
微晶与纳米硅薄膜表面形貌分形特征的研究被引量:2
《科学通报》1996年第14期1339-1343,共5页袁凯华 戎霭伦 何宇亮 万明芳 魏希文 
国家自然科学基金
对纳米硅薄膜的微结构研究一直是这个领域中令人感兴趣的问题.Mandelbrot提出的分形理论可用于材料显微结构的定量表征,而分形维数是描述分形结构特征的一个重要几何参量.近年来,人们利用光学显微镜和SEM等手段对薄膜材料和金属断口的...
关键词:微晶硅 纳米硅 分形 薄膜 表面形貌 微结构 
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